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Datasheet > 存储 > OTP ROM> M27C405-100K1
M27C405-100K1 PDF预览

M27C405-100K1

更新时间： 2024-01-23 10:08:41
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 存储内存集成电路可编程只读存储器OTP只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
15页 101K
描述
512KX8 OTPROM, 100ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

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M27C405-100K1 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFJ包装说明：PLASTIC, LCC-32
针数：32Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.92Is Samacsys：N
最长访问时间：100 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PQCC-J32JESD-609代码：e0
长度：13.995 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：OTP ROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：512KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：QCCJ封装等效代码：LDCC32,.5X.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.56 mm最大待机电流：0.0001 A
子类别：OTP ROMs最大压摆率：0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：11.4554 mm
Base Number Matches：1

M27C405-100K1 数据手册

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M27C405  
Table 9. ProgrammingMode DC Characteristics (1)  
(TA = 25 °C; VCC = 6.25V ± 0.25V;VPP = 12.75V ± 0.25V)  
Symbol  
ILI  
Parameter  
Input Leakage Current  
Supply Current  
Test Condition  
Min  
Max  
10  
Unit  
0
V
IN  
V
CC  
A
µ
≤
≤
±
ICC  
50  
mA  
mA  
V
IPP  
Program Current  
Input Low Voltage  
Input High Voltage  
Output Low Voltage  
Output High Voltage TTL  
A9 Voltage  
E = VIL  
50  
0.8  
VIL  
–0.3  
2
VIH  
VCC + 0.5  
0.4  
V
VOL  
VOH  
VID  
IOL = 2.1mA  
IOH = –400 A  
V
2.4  
V
µ
11.5  
12.5  
Max  
105  
V
Note: 1. VCC must be applied simultaneously with or before VPP and removed simultaneously or after VPP  
.
Table 10. ProgrammingMode AC Characteristics(1)  
(TA = 25 °C; VCC = 6.25V ± 0.25V;VPP = 12.75V ± 0.25V)  
Symbol  
tAVEL  
Alt  
tAS  
Parameter  
Test Condition  
Min  
2
Unit  
Address Valid to Chip Enable Low  
Input Valid to Chip Enable Low  
VPP High to Chip Enable Low  
VCC High to Chip Enable Low  
s
s
s
s
µ
µ
µ
µ
tQVEL  
tDS  
2
tVPHEL  
tVCHEL  
tVPS  
tVCS  
tPW  
2
2
Chip Enable Program Pulse  
Width  
tELEH  
tEHQX  
tQXGL  
tGLQV  
tGHQZ  
tGHAX  
95  
2
s
s
s
µ
µ
µ
Chip Enable High to Input  
Transition  
tDH  
Input Transition to Output Enable  
Low  
tOES  
2
Output Enable Low to Output  
Valid  
tOE  
100  
130  
ns  
ns  
ns  
Output Enable High to Output  
Hi-Z  
tDFP  
0
Output Enable High to Address  
Transition  
tAH  
0
.
Notes: 1. VCC must be applied simultaneously with or before VPP and removed simultaneously or after VPP  
2. Sampled only, not 100% tested.  
7/15  
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