Datasheet > 存储 > OTP ROM> M27C256B-80XB6TR

M27C256B-80XB6TR

更新时间： 2024-02-18 11:53:27

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		可编程只读存储器电动程控只读存储器
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16页	149K
描述
256 Kbit (32Kb x 8) UV EPROM and OTP EPROM

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M27C256B-80XB6TR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
针数：	28	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.82	最长访问时间：	80 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDIP-T28
JESD-609代码：	e3	长度：	37.085 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	OTP ROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	12.75 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.08 mm	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	OTP ROMs	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

M27C256B-80XB6TR 数据手册

M27C256B

Figure 2A. DIP Connections

Figure 2B. LCC Connections

A12

27 A14

26 A13

25 A8

24 A9

23 A11

1 32

A11

M27C256B

21 A10

A10

A0 10

Q0 11

Q1 12

Q2 13

19 Q7

18 Q6

17 Q5

16 Q4

15 Q3

AI00756

AI00757

Figure 2C. TSOP Connections

Table 1. Signal Names

A0-A14

Q0-Q7

Address Inputs

Data Outputs

Chip Enable

Output Enable

A11

A10

Program Supply

Supply Voltage

Ground

A13

A14

M27C256B

A12

Not Connected Internally

Don’t Use

AI00614B

2/16

123 4 5 6 7...16

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