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Datasheet > 存储 > OTP ROM> M27C256B-80XB6TR
M27C256B-80XB6TR PDF预览

M27C256B-80XB6TR

更新时间： 2024-01-01 17:19:42
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
16页 149K
描述
256 Kbit (32Kb x 8) UV EPROM and OTP EPROM

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M27C256B-80XB6TR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
针数：28Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.82最长访问时间：80 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDIP-T28
JESD-609代码：e3长度：37.085 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：OTP ROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：32KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP28,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
编程电压：12.75 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.08 mm最大待机电流：0.0001 A
子类别：OTP ROMs最大压摆率：0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.25 V最小供电电压 (Vsup)：4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：15.24 mm
Base Number Matches：1

M27C256B-80XB6TR 数据手册

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M27C256B  
(1)  
Table 9. Programming Mode DC Characteristics  
(T = 25 °C; V = 6.25V ± 0.25V; V = 12.75V ± 0.25V)  
A
CC  
PP  
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min  
Max  
±10  
50  
Unit  
µA  
mA  
mA  
V
I
Input Leakage Current  
Supply Current  
V
≤ V ≤ V  
LI  
IL  
IN  
IH  
I
CC  
I
E = V  
Program Current  
Input Low Voltage  
Input High Voltage  
Output Low Voltage  
Output High Voltage TTL  
A9 Voltage  
50  
PP  
IL  
V
IL  
–0.3  
2
0.8  
V
IH  
V
+ 0.5  
V
CC  
V
OL  
I
= 2.1mA  
= –1mA  
0.4  
V
OL  
V
I
OH  
3.6  
V
OH  
V
11.5  
12.5  
V
ID  
Note: V must be applied simultaneously with or before V and removed simultaneously or after V .  
PP  
CC  
PP  
(1)  
Table 10. Programming Mode AC Characteristics  
(T = 25 °C; V = 6.25V ± 0.25V; V = 12.75V ± 0.25V  
A
CC  
PP  
Symbol  
Alt  
Parameter  
Test Condition  
Min  
2
Max  
Unit  
µs  
µs  
µs  
µs  
µs  
µs  
µs  
ns  
ns  
ns  
t
t
t
t
Address Valid to Chip Enable Low  
Input Valid to Chip Enable Low  
AVEL  
AS  
2
QVEL  
DS  
t
t
t
t
V
V
High to Chip Enable Low  
High to Chip Enable Low  
2
VPHEL  
VPS  
VCS  
PP  
CC  
2
VCHEL  
t
t
PW  
Chip Enable Program Pulse Width  
Chip Enable High to Input Transition  
Input Transition to Output Enable Low  
Output Enable Low to Output Valid  
Output Enable High to Output Hi-Z  
Output Enable High to Address Transition  
95  
2
105  
ELEH  
t
t
DH  
EHQX  
t
t
2
QXGL  
GLQV  
OES  
t
t
t
100  
130  
OE  
t
0
0
GHQZ  
GHAX  
DFP  
t
t
AH  
Note: V must be applied simultaneously with or before V and removed simultaneously or after V .  
PP  
CC  
PP  
Programming  
light (UV EPROM). The M27C256B is in the pro-  
gramming mode when V input is at 12.75V, G is  
When delivered (and after each erasure for UV  
EPROM), all bits of the M27C256B are in the "1"  
state. Data is introduced by selectively program-  
ming "0"s into the desired bit locations. Although  
only "0"s will be programmed, both "1"s and "0"s  
can be present in the data word. The only way to  
change a '0' to a '1' is by die exposure to ultraviolet  
PP  
at V and E is pulsed to V . The data to be pro-  
IH  
IL  
grammed is applied to 8 bits in parallel to the data  
output pins. The levels required for the address  
and data inputs are TTL. V  
6.25V ± 0.25 V.  
is specified to be  
CC  
7/16  
1...45678910...16

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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