Datasheet > 存储 > SRAM> LY6225616ML-45SLIG

LY6225616ML-45SLIG

更新时间： 2024-01-03 01:46:20

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台湾来扬 - LYONTEK		静态存储器
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14页	274K
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256K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM

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LY6225616ML-45SLIG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	TSOP2,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.8	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	45 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
长度：	18.415 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

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LY6225616

256K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM

Rev. 1.5

TIMING WAVEFORMS

READ CYCLE 1 (Address Controlled) (1,2)

tRC

Address

Dout

tAA

tOH

Previous Data Valid

Data Valid

READ CYCLE 2 (CE# and OE# Controlled) (1,3,4,5)

tRC

Address

tAA

CE#

tACE

LB#,UB#

tBA

OE#

tOE

tOH

tOLZ

tBLZ

tCLZ

tOHZ

tBHZ

tCHZ

High-Z

Dout

High-Z

Data Valid

Notes :

1.WE#is high for read cycle.

2.Device is continuously selected OE# = low, CE# = low, LB# or UB# = low_.

3.Address must be valid prior to or coincident with CE# = low, LB# or UB# = low transition; otherwise t_AAis the limiting parameter.

4.t_CLZ, t_BLZ,t_OLZ, t_CHZ,t_BHZand t_OHZare specified with C_L= 5pF. Transition is measured ±500mV from steady state.

5.At any given temperature and voltage condition, t_CHZis less than t_CLZ, t_BHZis less than t_BLZ, t_OHZis less than t_OLZ.

Lyontek Inc. ^{reserves the rights to change the specifications and products without notice.}

5F, No. 2, Industry E. Rd. IX, Science-Based Industrial Park, Hsinchu 300, Taiwan.

TEL: 886-3-6668838

FAX: 886-3-6668836

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