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LY6225616ML-45SLEG

更新时间： 2024-01-10 04:23:39
品牌 Logo 应用领域
台湾来扬 - LYONTEK 静态存储器
页数 文件大小 规格书
14页 274K
描述
256K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM

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LY6225616ML-45SLEG 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：TSOP2,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.8Is Samacsys：N
最长访问时间：45 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G44
长度：18.415 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：44
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：256KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

LY6225616ML-45SLEG 数据手册

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®
LY6225616  
256K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM  
Rev. 1.5  
CAPACITANCE (TA = 25℃, f = 1.0MHz)  
PARAMETER  
Input Capacitance  
Input/Output Capacitance  
SYMBOL  
MIN.  
-
-
MAX  
6
8
UNIT  
pF  
pF  
CIN  
CI/O  
Note : These parameters are guaranteed by device characterization, but not production tested.  
AC TEST CONDITIONS  
Input Pulse Levels  
0.2V to VCC - 0.2V  
Input Rise and Fall Times  
Input and Output Timing Reference Levels  
Output Load  
3ns  
1.5V  
CL = 30pF + 1TTL, IOH/IOL = -2mA/4mA  
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(1) READ CYCLE  
PARAMETER  
SYM.  
tRC  
UNIT  
LY6225616-45  
LY6225616-55  
LY6225616-70  
MIN.  
MAX.  
MIN.  
MAX.  
MIN.  
MAX.  
Read Cycle Time  
Address Access Time  
Chip Enable Access Time  
Output Enable Access Time  
Chip Enable to Output in Low-Z  
Output Enable to Output in Low-Z tOLZ  
Chip Disable to Output in High-Z tCHZ  
Output Disable to Output in High-Z tOHZ  
Output Hold from Address Change tOH  
45  
-
-
-
55  
-
-
-
70  
-
-
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
tAA  
45  
45  
25  
-
55  
55  
30  
-
70  
70  
35  
-
tACE  
tOE  
tCLZ  
-
-
-
*
*
*
*
10  
5
-
-
10  
-
10  
5
-
-
10  
-
10  
5
-
-
10  
-
-
-
-
15  
15  
-
45  
20  
-
20  
20  
-
55  
25  
-
25  
25  
-
70  
30  
-
LB#, UB# Access Time  
LB#, UB# to High-Z Output  
LB#, UB# to Low-Z Output  
tBA  
tBHZ  
*
-
10  
-
10  
-
10  
tBLZ  
*
(2) WRITE CYCLE  
PARAMETER  
SYM.  
tWC  
tAW  
tCW  
tAS  
tWP  
tWR  
tDW  
UNIT  
LY6225616-45  
LY6225616-55  
LY6225616-70  
MIN.  
45  
40  
40  
0
MAX.  
MIN.  
55  
50  
50  
0
MAX.  
MIN.  
70  
60  
60  
0
MAX.  
Write Cycle Time  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Address Valid to End of Write  
Chip Enable to End of Write  
Address Set-up Time  
Write Pulse Width  
Write Recovery Time  
Data to Write Time Overlap  
Data Hold from End of Write Time tDH  
Output Active from End of Write  
Write to Output in High-Z  
-
-
-
35  
0
-
-
45  
0
-
-
55  
0
-
-
20  
0
-
-
25  
0
-
-
30  
0
-
-
tOW  
tWHZ  
tBW  
*
*
5
-
5
-
5
-
-
15  
-
50  
20  
-
-
60  
25  
-
LB#, UB# Valid to End of Write  
35  
-
*These parameters are guaranteed by device characterization, but not production tested.  
Lyontek Inc. reserves the rights to change the specifications and products without notice.  
5F, No. 2, Industry E. Rd. IX, Science-Based Industrial Park, Hsinchu 300, Taiwan.  
TEL: 886-3-6668838  
FAX: 886-3-6668836  
5
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