5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > LSIC2SD120E20CCA
LSIC2SD120E20CCA PDF预览

LSIC2SD120E20CCA

更新时间： 2023-12-06 20:13:08
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
7页 442K
描述
? 点击此处索取样品 此系列的碳化硅（SiC）肖特基二极管具有可忽略不计的反向恢复电流、高浪涌承受能力以及175 °C的最高运行结温。对于需要提高效率、可靠性与热管理的应用而言，该二极管系列是理想

阅读下载

中文翻译

获取价格

LSIC2SD120E20CCA 数据手册

 浏览型号LSIC2SD120E20CCA的Datasheet PDF文件第1页浏览型号LSIC2SD120E20CCA的Datasheet PDF文件第2页浏览型号LSIC2SD120E20CCA的Datasheet PDF文件第4页浏览型号LSIC2SD120E20CCA的Datasheet PDF文件第5页浏览型号LSIC2SD120E20CCA的Datasheet PDF文件第6页浏览型号LSIC2SD120E20CCA的Datasheet PDF文件第7页 
LSIC2SD120E20CCA  
1. Maximum Ratings  
Silicon Carbide Schottky Diode Datasheet  
Characteristic  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
Sym bol  
Conditions  
Value  
1200  
Unit  
V
V
RRM  
-
V
R
-
1200  
V
TC = 25 °C  
32/64  
15/30  
10/20  
80  
Continuous Forward Current  
(Per Leg/Per Component)  
IF  
TC = 135 °C  
A
TC = 154 °C  
Non-repetitive Forward Surge Current (Per Leg)  
I2t (Per Leg)  
IFSM  
2dt  
TC = 25 °C, tp = 10 ms, Half sine pulse  
A
TC = 25 °C, tp = 10 ms, Half sine pulse  
32  
A2s  
TC = 25 °C  
150/300  
65/130  
-55 to 175  
-55 to 150  
260  
Power Dissipation (Per Leg/Per Component)  
PTot  
W
TC = 110 °C  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
TJ  
-
-
-
°C  
°C  
TSTG  
TSOLD  
Lead Temperature for Soldering  
°C  
1.0  
Nm  
In-lb  
Mounting Torque  
MD  
M3 or 6-32 screw  
8.8  
2. Thermal Characteristics  
Characteristic  
Sym bol  
Value  
Unit  
Maximum Thermal Resistance, junction-to-case (Per Leg/Per Component)  
Rth,JC, max  
1.0/0.5  
°C/W  
3. Electrical Characteristics (Per Leg, TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
Value  
Typ  
1.5  
Characteristic  
Sym bol  
Conditions  
Unit  
Min  
Max  
IF = 10 A, TJ = 25 °C  
IF = 10 A, TJ = 175 °C  
-
-
-
-
-
-
-
-
1.8  
Forward Voltage  
V
F
V
2.0  
-
V = 1200 V, TJ = 25 °C  
<1.0  
4.0  
100  
R
Reverse Current  
Total Capacitance  
IR  
C
µA  
V = 1200 V, TJ = 175 °C  
-
-
-
-
-
R
V = 1 V, f = 1 MHz  
580  
53  
R
V = 400 V, f = 1 MHz  
pF  
R
V = 800 V, f = 1 MHz  
40  
R
Total Capacitive Charge  
QC  
EC  
V = 800 V, QC  
=
C(V) dV  
56  
nC  
µJ  
R
Capacitance Stored Energy  
V = 800 V  
R
12.8  
3
Specifications are subject to change without notice.  
Read complete Disclaimer Notice at www.littelfuse.com/disclaimer-electronics.  
© 2021 Littelfuse, Inc.  
Revised: 9/20/2021  
1234567

中文翻译

下载PDF

与LSIC2SD120E20CCA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
LSIC2SD120E30CC LITTELFUSE

获取价格

 		? 点击此处索取样品 此系列的碳化硅（SiC）肖特基二极管具有可忽略不计的反向恢复电流、高
LSIC2SD120E30CCA LITTELFUSE

获取价格

 		? 点击此处索取样品 此系列的碳化硅（SiC）肖特基二极管具有可忽略不计的反向恢复电流、高
LSIC2SD120E40CC LITTELFUSE

获取价格

 		? 点击此处索取样品 此系列的碳化硅（SiC）肖特基二极管具有可忽略不计的反向恢复电流、高
LSIC2SD120E40CCA LITTELFUSE

获取价格

 		? 点击此处索取样品 此系列的碳化硅（SiC）肖特基二极管具有可忽略不计的反向恢复电流、高
LSIC2SD120N120PA LITTELFUSE

获取价格

 		此系列的碳化硅（SiC）肖特基二极管 具有可忽略不计的反向恢复电流、 高浪涌承受能力以及1
LSIC2SD120N40PA LITTELFUSE

获取价格

 		此系列的碳化硅（SiC）肖特基二极管具有可忽略不计的反向恢复电流、高浪涌承受能力以及175
LSIC2SD120N80PA LITTELFUSE

获取价格

 		此系列的碳化硅（SiC）肖特基二极管具有可忽略不计的反向恢复电流、高浪涌承受能力以及175
LSIC2SD170B10 LITTELFUSE

获取价格

 		采用TO-247-2L封装的LSIC2SD170Bxx 1700V碳化硅肖特基势垒二极管可
LSIC2SD170B25 LITTELFUSE

获取价格

 		采用TO-247-2L封装的LSIC2SD170Bxx 1700V碳化硅肖特基势垒二极管可
LSIC2SD170B50 LITTELFUSE

获取价格

 		采用TO-247-2L封装的LSIC2SD170Bxx 1700V碳化硅肖特基势垒二极管可

与LSIC2SD120E20CCA相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证