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LS5905

更新时间： 2024-01-10 02:52:48
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Linear Systems /
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2页 31K
描述
LOW LEAKAGE LOW DRIFT MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFET

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LS5905 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.11
其他特性：LOW DRIFT配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：40 VFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：1.5 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：NOT SPECIFIED
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

LS5905 数据手册

 浏览型号LS5905的Datasheet PDF文件第2页 
LS5905 LS5906 LS5907  
LS5908 LS5909  
LOW LEAKAGE LOW DRIFT  
MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFET  
Linear Integrated Systems  
FEATURES  
LOW DRIFT  
|∆VGS1-2 /∆T|= 5µV/°C max.  
G = 150fA TYP.  
VP= 2V TYP.  
ULTRA LOW LEAKAGE  
LOW PINCHOFF  
I
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS NOTE 1  
@ 25°C (unless otherwise noted)  
Maximum Temperatures  
Storage Temperature  
Operating Junction Temperature  
S1  
G2  
-65° to +150°C  
+150°C  
G1  
S2  
3
1
5
7
Maximum Voltage and Current for Each Transistor NOTE 1  
D1  
D1 2  
6D2  
-VGSS  
Gate Voltage to Drain or Source  
40V  
D2  
-VDSO  
-IG(f)  
-IG  
Drain to Source Voltage  
Gate Forward Current  
Gate Reverse Current  
40V  
S1  
G2  
10mA  
10µA  
G1  
S2  
22 X 20 MILS  
BOTTOM VIEW  
Maximum Power Dissipation  
Device Dissipation @ Free Air - Total  
40mW @ +125°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)  
SYMBOL CHARACTERISTICS LS5906 LS5907 LS5908 LS5909 LS5905 UNITS CONDITIONS  
|∆VGS1-2 /∆T| max. Drift vs. Temperature  
5
10  
20  
40  
40  
µV/°C VDG= 10V, ID= 30µA  
TA=-55°C to +125°C  
|VGS1-2| max.  
-IGmax.  
Offset Voltage  
5
1
1
2
5
5
1
1
2
5
10  
1
15  
1
15  
3
mV  
pA  
nA  
pA  
nA  
VDG=10V  
ID= 30µA  
Operating  
-IGmax.  
High Temperature  
At Full Conduction  
High Temperature  
1
1
3
TA= +125°C  
VDS= 0V  
-IGSSmax.  
-IGSSmax.  
2
2
5
VGS= 20V  
5
5
10  
TA= +125°C  
SYMBOL  
BVGSS  
CHARACTERISTICS  
Breakdown Voltage  
MIN.  
40  
TYP.  
60  
MAX.  
UNITS  
CONDITIONS  
VDS= 0  
--  
--  
V
V
ID= 1nA  
ID= 0  
BVGGO  
Gate-to-Gate Breakdown  
40  
--  
IG= 1nA  
IS= 0  
TRANSCONDUCTANCE  
Yfss  
Yfs  
Full Conduction  
70  
50  
300  
100  
500  
200  
µmho VDG= 10V  
µmho VDG= 10V  
VGS= 0  
f= 1kHz  
f= 1kHz  
Typical Operation  
Mismatch  
ID= 30µA  
|Yfs1-2/Yfs|  
--  
1
5
%
DRAIN CURRENT  
IDSS  
|IDSS1-2/IDSS  
Full Conduction  
60  
--  
400  
2
1000  
5
µA  
VDG= 10V  
VGS= 0  
|
Mismatch at Full Conduction  
%
GATE VOLTAGE  
VGS(off) or VP  
VGS  
Pinchoff Voltage  
0.6  
--  
2
4.5  
4
V
V
VDS= 10V  
VDS= 10V  
ID= 1nA  
Operating Range  
--  
ID= 30µA  
GATE CURRENT  
Gate-to-Gate Leakage  
IGGO  
--  
1
--  
pA  
VGG=20V  
Linear Integrated Systems 4042 Clipper Court, Fremont, CA 94538 • TEL: (510) 490-9160 • FAX: (510) 353-0261  
12

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