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LS3550A-TO-71

更新时间： 2025-07-23 06:20:27
品牌 Logo 应用领域
凌特 - Linear 晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 505K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 2-Element, Silicon, PNP, TO-71, METAL PACKAGE-6

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LS3550A-TO-71 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：TO-71
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.59最大集电极电流 (IC)：0.05 A
基于收集器的最大容量：2 pF集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTSJEDEC-95代码：TO-71
JESD-30 代码：O-MBCY-W6元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：600 MHz
Base Number Matches：1

LS3550A-TO-71 数据手册

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LS3550 SERIES  
MONOLITHIC DUAL  
PNP TRANSISTORS  
Linear Integrated Systems  
FEATURES  
6 LEAD SOT-23 SURFACE MOUNT PACKAGE*  
TIGHT MATCHING1  
2mV  
3µV/°C  
TO-78  
SOT-23  
TOP VIEW  
EXCELLENT THERMAL TRACKING1  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS2  
@ 25 °C (unless otherwise stated)  
Maximum Temperatures  
BOTTOM VIEW  
1
2
3
6
5
4
B1  
E2  
B2  
C1  
E1  
C2  
3
1
5
7
E1  
E2  
2
6
B1  
B2  
C2  
C1  
Storage Temperature  
-65 to +150 °C  
-55 to +150 °C  
Operating Junction Temperature  
Maximum Power Dissipation  
Continuous Power Dissipation  
Maximum Currents  
Collector Current  
Maximum Voltages  
TO-71  
PDIP  
SOIC  
BOTTOM VIEW  
1
8
7
6
5
1
2
3
4
8
7
6
5
C1  
B1  
E1  
NC  
C1  
B1  
C2  
B2  
C2  
B2  
E2  
NC  
2
3
4
TBD  
50mA  
80V  
3
1
5
7
E1  
B1  
C1  
E2  
E2 E1  
NC NC  
2
6
B2  
C2  
Collector to Collector Voltage  
MATCHING ELECTRICAL CHARACTERISTICS @25 °C (unless otherwise stated)  
LS3250A  
CHARACTERISTIC  
UNIT CONDITIONS  
MIN MAX MIN MAX MIN MAX  
V
BE1 − VBE2  
Base to Emitter Voltage Differential  
2
3
5
5
10  
15 µV/°C  
10 nA  
mV  
IC = -10mA, VCE = -5V  
V
BE1 − VBE2  
∆T  
Base to Emitter Voltage Differential  
Change with Temperature  
IC = -10mA, VCE = -5V  
TA = -40°C to +85°C  
I
I
B1 −IB2  
Base Current Differential  
10  
0.5  
10  
0.5  
IC = -10µA, VCE = -5V  
B1 − IB2  
Base Current Differential  
Change with Temperature  
IC = -10µA, VCE = -5V  
TA = -40°C to +85°C  
1.0 nA/°C  
∆T  
h
FE1hFE2  
Current Gain Differential  
10  
10  
15  
%
IC = -10µA, VCE = -5V  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @25 °C (unless otherwise stated)  
LS3250A  
LS3250B  
LS3250C  
SYMBOL  
CHARACTERISTIC  
UNIT CONDITIONS  
MIN MAX MIN MAX MIN MAX  
BVCBO  
BVCEO  
Collector to Base Breakdown Voltage  
Collector to Emitter Breakdown Voltage -45  
-45  
-40  
-40  
-20  
-20  
IC = -10mA, IE = 0A  
IC = -10µA, IE = 0A  
Collector to Collector Breakdown  
BVCCO  
BVEBO  
-80  
-80  
-80  
V
Voltage  
Emitter to Base Breakdown Voltage3  
Collector to Emitter Saturation Voltage  
-6.2  
-6.2  
-6.2  
IE = -10µA, IC = 0A  
IC = -100mA  
IB = -10mA  
VCE(SAT)  
-0.25  
-0.25  
-1.2  
Linear Integrated Systems • 4042 Clipper Court • Fremont, CA 94538 • Tel: 510 490-9160 • Fax: 510 353-0261  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
LS3550A-TO-71-6L Linear

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 		Transistor,
LS3550A-TO-78-6L Linear

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 		Transistor,
LS3550A_PDIP MICROSS

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LS3550A_SOIC MICROSS

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 		MONOLITHIC DUAL NPN TRANSISTOR
LS3550A_SOT-23 MICROSS

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 		MONOLITHIC DUAL NPN TRANSISTOR
LS3550A_TO-71 MICROSS

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LS3550A_TO-78 MICROSS

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 		MONOLITHIC DUAL NPN TRANSISTOR
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