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LRB751BS-40T1G

更新时间： 2024-01-28 13:22:40
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 430K
描述
SCHOTTKY BARRIER DIODE

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LRB751BS-40T1G 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：R-PBCC-N2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.72其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PBCC-N2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.03 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER最大重复峰值反向电压：40 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
Base Number Matches：1

LRB751BS-40T1G 数据手册

 浏览型号LRB751BS-40T1G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号LRB751BS-40T1G的Datasheet PDF文件第3页 
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
LRB751BS-40T5G , S-LRB751BS-40T5G  
zElectrical characteristic curves  
100  
100000  
10000  
1000  
100  
Ta=125℃  
Ta=75℃  
Ta=75℃  
10  
Ta=125℃  
1
Ta=25℃  
Ta=25℃  
Ta=-25℃  
0.1  
0.01  
Ta=-25℃  
10  
0.001  
1
0
100 200 300 400 500 600 700 800  
0
5
10 15 20 25 30 35 40  
REVERSE VOLTAGE：VR(V)  
VR-IR CHARACTERISTICS  
FORWARD VOLTAGE：VF(mV)  
VF-IF CHARACTERISTICS  
10  
f=1MHz  
1
0.1  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
REVERSE VOLTAGE:VR(V)  
VR-Ct CHARACTERISTICS  
Rev.B 2/3  
123

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