LP5860T
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ZHCSQU4B –MAY 2023 –REVISED NOVEMBER 2023
VCC = 3.3V,VLED = 5V,VIO = 1.8V 和TA = –40°C 至+85°C(对于LP5860TMRKPR、LP5866TMRKPR 和
LP5868TMRKPR,TA = –55°C 至+125°C);典型值在TA = 25°C 条件下测得(除非另有说明)
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
KHz
KHz
PWM_Fre = 1,PWM = 100%
PWM_Fre = 0,PWM = 100%
62.5
fPWM
LED PWM 频率
125
IOUT = 100mA,降低输出电压,当LED
电流降低5% 时(仅适用于
LP5860TMRKPR、LP5866TMRKPR 和
0.8
0.7
V
LP5868TMRKPR)
IOUT = 100mA,降低输出电压,当LED
电流降低5% 时(仅适用于
LP5860TRKPR、LP5866TRKPR 和
V
V
VSAT
输出饱和电压
LP5868TRKPR)
IOUT = 75mA,降低输出电压,当LED 电
流下降5% 时
0.6
0.5
IOUT = 25mA,降低输出电压,当LED 电
流下降5% 时
V
VLED = 2.7V,ISW = 200mA
450
450
380
380
310
310
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
VLED = 2.7V,ISW = 200mA,
LP5860MRKPR 和LP5864MRSMR
VLED = 3.8V,ISW = 200mA
RSW
高侧PMOS 导通电阻
VLED = 3.8V,ISW = 200mA,
LP5860MRKPR 和LP5864MRSMR
VLED = 5V,ISW = 200mA
VLED = 5V,ISW = 200mA,
LP5860MRKPR 和LP5864MRSMR
逻辑接口
低电平输入电压,SDA、SCL、SCLK、
MOSI、SS、ADDRx、VSYNC、IFS
VLOGIC_IL
0.3 x VIO
V
V
高电平输入电压,SDA、SCL、SCLK、
MOSI、SS、ADDRx、VSYNC、IFS
VLOGIC_IH
0.7 x VIO
VEN_IL
VEN_IH
0.4
V
V
EN 的低电平输入电压
EN 的高电平输入电压
1.4
-1
当VCAP 上电时
输入电流,SDA、SCL、SCLK、MOSI、
SS、ADDRx
ILOGIC_I
1
µA
V
VLOGIC_O
IPULLUP = 3mA
0.4
低电平输出电压,SDA、MISO
高电平输出电压,MISO
L
VLOGIC_O
0.7 x VIO
V
IPULLUP = –3mA
H
保护电路
VLOD_TH
0.25
LED –1
150
V
V
通道开路检测阈值
通道短路检测阈值
热关断结温
VLSD_TH
TTSD
V
°C
°C
THYS
15
热关断温度迟滞
6.6 时序要求
最小值
标称值
最大值
单位
其他时序要求
fOSC
31.2
MHz
内部振荡器频率
fOSC_ERR
3%
–3%
器件间的振荡器频率误差
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English Data Sheet: SNVSCE1
8
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