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LP3000P100

更新时间： 2025-08-03 22:08:03
品牌 Logo 应用领域
FILTRONIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 50K
描述
PACKAGED 2W POWER PHEMT

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LP3000P100 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.55
Is Samacsys：N配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：12 VFET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带：KU BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

LP3000P100 数据手册

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LP 3 0 0 0 P 1 0 0  
P ACKAGED 2 W POWER P HEMT  
·
·
FEATURES  
¨
¨
¨
33 dBm Output Power at 1-dB Compression at 15 GHz  
8 dB Power Gain at 15 GHz  
60% Power-Added Efficiency  
DES CRIP TION AND AP P LICATIONS  
The LP3000P100 is a packaged Aluminum Gallium Arsenide / Indium Gallium Arsenide  
(AlGaAs/InGaAs) pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (pHEMT). It utilizes a  
0.25 mm x 3000 mm Schottky barrier gate, defined by electron-beam photolithography. The recessed  
“mushroom” gate structure minimizes parasitic gate-source and gate resistance. The epitaxial  
structure and processing have been optimized for reliable high-power applications. The LP3000 also  
features Si3N4 passivation and is available in die form or in other packages.  
The LP3000P100 is designed for medium-power, linear amplification. This device is suitable for  
applications in commercial and military environments, and it is appropriate to be used as a medium  
power transistor in SATCOM uplink transmitters, medium-haul digital radio transmitters, PCS high  
efficiency amplifiers, and WLL systems.  
·
ELECTRICAL S P ECIFICATIONS @ TAm b ie n t = 2 5 °C  
Parameter  
Symbol  
IDSS  
Test Conditions  
Min  
800  
31.5  
7
Typ  
975  
33  
Max  
Units  
mA  
dBm  
dB  
Saturated Drain-Source Current  
Power at 1-dB Compression  
Power Gain at 1-dB Compression  
Power-Added Efficiency  
VDS = 2 V; VGS = 0 V  
1100  
P-1dB  
G-1dB  
PAE  
VDS = 8 V; IDS = 50% IDSS  
VDS = 8 V; IDS = 50% IDSS  
8
45  
%
VDS = 8 V; IDS = 50% IDSS  
PIN = 17 dBm  
;
Maximum Drain-Source Current  
Transconductance  
IMAX  
GM  
VDS = 2 V; VGS = 1 V  
VDS = 2 V; VGS = 0 V  
VGS = -5 V  
1700  
900  
15  
mA  
mS  
mA  
V
700  
Gate-Source Leakage Current  
Pinch-Off Voltage  
IGSO  
VP  
130  
-2.0  
VDS = 2 V; IDS = 5 mA  
IGS = 8 mA  
-0.25  
-12  
-1.2  
-15  
Gate-Source Breakdown  
Voltage Magnitude  
|VBDGS  
|
V
Gate-Drain Breakdown  
Voltage Magnitude  
|VBDGD  
|
IGD = 8 mA  
-12  
-16  
V
frequency=15 GHz  
P h o n e : (408) 988-1845  
Fa x: (408) 970-9950  
h ttp :// www.filss.com  
Re vis e d : 1/20/01  
Em a il: sales@filss.com  
123

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