LNK403-410/413-420
初级箝位和输出反射电压VOR
由于LED照明的功耗非常低,整灯吸收的电流要小于调光器内可
控硅的维持电流。这样会产生调光范围受限和/或闪烁等不良
情况。由于LED灯的电阻相对较大,因此在可控硅导通时,浪涌
电流会对输入电阻进行充电,造成大幅振荡。这同样会造成类
似不良情况,因为振荡会使可控硅电流降至零并关断。
初级箝位电路可用来限制峰值漏源极电压。齐纳二极管箝位要
求使用最少的元件和占用最小的电路板面积,可达到最高
效率。RCD箝位也是可以接受的,但在启动和输出短路期间应
仔细检验峰值漏极电压,因为箝位电压会随着峰值漏极电流发
生大幅变化。
要克服这些问题,需增加两个电路 – 有源衰减电路和无源泄放
电路。这些电路的缺点是会增大功耗,进而降低电源的效率。
因此对于非调光应用,可以省略这些元件。
为实现最高效率,所选箝位电压至少应为输出反射电压VOR的
1.5倍,以缩短漏电尖峰传导时间。在通用输入或仅高压应
用中,使用齐纳二极管箝位VOR的值最好小于135 V,允许齐纳
二极管存在绝对容差和温度漂移。这不仅能确保箝位电路有
效工作,还可将最大漏极电压维持在FET的额定击穿电压
之下。RCD(或RCDZ)箝位的箝位电压容差比齐纳二极管箝位
更严格。RCD箝位比齐纳二极管箝位更具成本效益,但要求设
计更为严密,以确保最大漏极电压不会超过功率MOSFET的击
穿电压。这些VOR限值是基于内部FET的BVDSS额定值设置的,大
部分设计的VOR值通常都介于60 V和100 V之间,能够达到最佳的
PFC和调整性能。
图8(a)显示的是前沿可控硅调光器输入端的输入电压及电流,图8(b)
显示的是经整流的总线电压。在本例中,可控硅以90度角导通。
PI-5983-060810
350
250
150
50
0.35
0.25
0.15
0.05
-0.05
-0.15
-0.25
Voltage
Current
0.5
50
100
150
200
250
300
350
400
-50
串联漏极二极管
可以将一个超快速恢复二极管或肖特基二极管与漏极串联,防
-150
-250
止反向电流流入器件。电压额定值必须大于输出反射电压VOR
。
电流额定值应超过平均初级电流的两倍,其峰值额定值等于所
-350
-0.35
选LinkSwitch-PH器件的最大漏极电流。
Conduction Angle (°)
输入电压峰值检测器电路
PI-5984-060810
350
300
250
200
150
100
50
0.35
0.3
LinkSwitch-PH器件使用峰值输入电压来调节功率输出量。建议
采用1 μF到4.7 μF的电容值,以减小电压纹波和获得最大的功率
因数(>0.9)。较小值虽可接受,但容易使PF减小并提高输入电流
失真度。
Voltage
Current
0.25
0.2
相控调光器的工作方式
0.15
0.1
调光器开关通过不导通(消隐)一部分AC电压正弦波来控制
白炽灯的亮度。这样可降低施加到灯泡的RMS电压,从而降
低亮度。这称为自然调光,对LinkSwitch-PH LNK403-410器
件进行调光配置后,器件可以随着RMS输入电压的下降而减
小LED电流,达到自然调光的目的。根据这一特点,可以特
意降低电压调整性能,以增大调光范围并尽量接近模拟白炽
灯的工作方式。使用一个49.9 kW参考引脚电阻即可选择自然
调光模式工作。
0.05
0
0
50
100
0
150
200
250
300
350
400
Conduction Angle (°)
图 9. (a) 前沿可控硅调光器在90°导通角下的理想输入电压及电流波形(b)可控硅调
光器输出整流后形成的波形
前沿相控调光器
对于用低成本的可控硅前沿相控调光器提供无闪烁输出调光的 图10显示的经整流的总线电压及电流则不太理想,因为可控硅
要求,我们需要在设计时进行全面权衡。
过早关断并重启动。
如果可控硅在半周期结束之前就异常关断,或者其他半AC周期
具有不同的导通角,那么LED灯就会因为输出电流的变化而出现
闪烁。在设计中添加一个泄放和衰减电路就可以解决此问题。
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