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LMX2332LTMX

更新时间： 2024-01-22 17:29:18
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 射频光电二极管个人通信信息通信管理
页数 文件大小 规格书
23页 560K
描述
PLLatinumTM Low Power Dual Frequency Synthesizer for RF Personal Communications

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LMX2332LTMX 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：TSSOP,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.7
其他特性：DUAL MODULUS PRESCALER (RF): 64/65 OR 128/129 AND DUAL MODULUS PRESCALER (IF): 8/9 OR 16/17模拟集成电路 - 其他类型：PLL FREQUENCY SYNTHESIZER
JESD-30 代码：R-PDSO-G20长度：6.5 mm
功能数量：1端子数量：20
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
座面最大高度：1.1 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL宽度：4.4 mm
Base Number Matches：1

LMX2332LTMX 数据手册

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Charge Pump Current Specification Definitions  
01280637  
I1 = CP sink current at V = V − ∆V  
Do  
P
I2 = CP sink current at V = V /2  
Do  
P
I3 = CP sink current at V = ∆V  
Do  
I4 = CP source current at V = V − ∆V  
Do  
P
I5 = CP source current at V = V /2  
Do  
P
I6 = CP source current at V = ∆V  
Do  
∆V = Voltage offset from positive and negative rails. Dependent on VCO tuning range relative to V  
and ground. Typical values are between 0.5V and 1.0V.  
CC  
Note 6: I vs V  
=
Do  
Charge Pump Output Current magnitude variation vs Voltage =  
Do  
1
1
[1⁄  
2
{|I1| − |I3|}]/[ ⁄  
2
{|I1| + |I3|}] 100% and [1⁄  
2
{|I4| − |I6|}]/[ ⁄  
2
*
*
*
*
* *  
{|I4| + |I6|}] 100%  
Note 7: I  
vs I  
=
Charge Pump Output Current Sink vs Source Mismatch =  
Do-sink  
Do-source  
[|I2| − |I5|]/[1⁄  
2
{|I2| + |I5|}] 100%  
Charge Pump Output Current magnitude variation vs Temperature =  
*
*
Note 8: I vs T  
=
A
Do  
@
@
@
*
@
@
@
*
[|I2 temp| − |I2 25˚C|]/|I2 25˚C| 100% and [|I5 temp| − |I5 25˚C|]/|I5 25˚C| 100%  
7
www.national.com  
1...45678910...23

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