LMV112SD

更新时间： 2024-02-12 12:04:54

品牌	Logo	应用领域
美国国家半导体 - NSC		时钟
页数	文件大小	规格书
14页	976K
描述
40 MHz Dual Clock Buffer

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

LMV112SD 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SON
包装说明：	HVSON,	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	1.14	放大器类型：	BUFFER
标称带宽 (3dB)：	40 MHz	JESD-30 代码：	S-PDSO-N8
JESD-609代码：	e3	长度：	3 mm
湿度敏感等级：	1	功能数量：	2
端子数量：	8	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	最小输出电流：	16 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	HVSON
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
包装方法：	TR	峰值回流温度（摄氏度）：	260
座面最大高度：	0.8 mm	标称压摆率：	110 V/us
子类别：	Buffer Amplifier	最大压摆率：	2.1 mA
供电电压上限：	5.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.7 V
表面贴装：	YES	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	3 mm

LMV112SD 数据手册

2.7V Electrical Characteristics (Continued)

Unless otherwise specified, all limits are guaranteed for T_J= 25˚C, V_DD= 2.7V, V_SS= 0V, V_CM= 1V, Enable_1,2= V_DD, C_L= 20

pF, R_L= 30 kΩ, C_COUPLING= 1 nF. Boldface limits apply at temperature range extremes of operating condition. See (Note 4)

Symbol

V_O

Parameter

Output Swing Positive

Output Swing Negative

Conditions

Min

Typ

Max

Units

(Note 6) (Note 5) (Note 6)

V_IN= V_DD

V_IN= V_SS

Sourcing

Sinking

2.65

2.69

2.63

I_SC

Output Short-Circuit Current

(Note 9)

−18

−13

−27

V_{en_hmin}

V_{en_lmax}

Enable High Active Minimum

Voltage

1.2

0.6

Enable Low Inactive Maximum

Voltage

5V Electrical Characteristics

Unless otherwise specified, all limits are guaranteed for T_J= 25˚C, V_DD= 5V, V_SS= 0V, V_CM= 1V, Enable_1,2= V_DD, C_L= 20

pF, R_L= 30 kΩ, C_COUPLING= 1 nF. Boldface limits apply at temperature range extremes of operating condition. See (Note 4)

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Units

(Note 6) (Note 5) (Note 6)

Frequency Domain Response

SSBW

FPBW

GFN

Small Signal Bandwidth

Full Power Bandwidth

V_IN= 0.63 V_PP; −3 dB

V_IN= 1.6 V_PP; −3 dB

MHz

100 kHz

Gain Flatness 0.1 dB

4.9

Distortion and Noise Performance

e_nInput-Referred Voltage Noise

I_SOLATIONOutput to Input

CT Crosstalk Rejection

Time Domain Response

f = 1 MHz

nV/

f = 1 MHz

f = 26 MHz, P_IN= 0 dBm

t_r

Rise Time

0.1 V_PPStep (10-90%), f = 1 MHz

t_f

Fall Time

t_s

Settling Time to 0.1%

Overshoot

1 V_PPStep, f = 1 MHz

0.1V_PPStep, f = 1 MHz

V_IN= 1.6 V_PP, f = 26 MHz

120

Slew Rate (Note 7)

V/µs

Static DC Performance

I_S

Supply Current

Enable_1,2= V_DD; No Load

Enable_1,2= V_SS; No Load

DC (3.0V to 5.0V)

3.5

2.5

µA

3.8

PSRR

A_CL

Power Supply Rejection Ratio

Small Signal Voltage Gain

Output Offset Voltage

V_OUT= 0.1 V_PP

0.99

1.01

1.03

1.00

1.3

V/V

µV/˚C

Ω

0.97

V_OS

TC V_OS

R_OUT

Temperature Coefficient Output

Offset Voltage (Note 8)

Output Resistance

f = 100 kHz

f = 26 MHz

0.5

118

www.national.com

1 234 5 6 7...14

下载PDF

与LMV112SD相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
LMV112SD/NOPB	TI	40MHz 双路时钟缓冲器 \| NGQ \| 8 \| -40 to 85	获取价格
LMV112SDX	NSC	40 MHz Dual Clock Buffer	获取价格
LMV112SDX/NOPB	TI	40MHz 双路时钟缓冲器 \| NGQ \| 8 \| -40 to 85	获取价格
LMV115	NSC	GSM Baseband 30MHz 2.8V Oscillator Buffer	获取价格
LMV115MG	NSC	GSM Baseband 30MHz 2.8V Oscillator Buffer	获取价格
LMV115MGX	NSC	GSM Baseband 30MHz 2.8V Oscillator Buffer	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

LMV112SD

LMV112SD 技术参数

LMV112SD 数据手册

与LMV112SD相关器件

与LMV112SD相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

LMV112SD

LMV112SD 技术参数

LMV112SD 数据手册

与LMV112SD相关器件

与LMV112SD相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？