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LMV112SD

更新时间: 2024-02-07 18:33:48
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 时钟
页数 文件大小 规格书
14页 976K
描述
40 MHz Dual Clock Buffer

LMV112SD 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SON
包装说明:HVSON,针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01Factory Lead Time:6 weeks
风险等级:1.14放大器类型:BUFFER
标称带宽 (3dB):40 MHzJESD-30 代码:S-PDSO-N8
JESD-609代码:e3长度:3 mm
湿度敏感等级:1功能数量:2
端子数量:8最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C最小输出电流:16 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:HVSON
封装形状:SQUARE封装形式:SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
包装方法:TR峰值回流温度(摄氏度):260
座面最大高度:0.8 mm标称压摆率:110 V/us
子类别:Buffer Amplifier最大压摆率:2.1 mA
供电电压上限:5.5 V标称供电电压 (Vsup):2.7 V
表面贴装:YES温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:NO LEAD
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:3 mm

LMV112SD 数据手册

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Typical Performance Characteristics TJ = 25˚C, VDD = 2.7V, VSS = 0V, Enable1,2 = VDD, CL = 20  
pF, RL = 30 kand CCOUPLING = 1 nF, unless otherwise specified. (Continued)  
Full Power Bandwidth  
Gain Flatness 0.1 dB (GFN)  
20135310  
20135309  
Voltage Noise  
Isolation Output to Input vs. Frequency  
20135329  
20135317  
Crosstalk Rejection vs. Frequency  
Transient Response Positive  
20135314  
20135311  
7
www.national.com  

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