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LM4890IBL

更新时间： 2024-02-09 07:26:28
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 放大器功率放大器
页数 文件大小 规格书
31页 1202K
描述
1 Watt Audio Power Amplifier

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LM4890IBL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SOP, SOP8,.25Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.33.00.01
风险等级：5.01标称带宽：20 kHz
商用集成电路类型：AUDIO AMPLIFIER谐波失真：2%
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：4.9 mm湿度敏感等级：1
信道数量：1功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C标称输出功率：1 W
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：2.6/5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.75 mm子类别：Audio/Video Amplifiers
最大压摆率：10 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2.2 V表面贴装：YES
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

LM4890IBL 数据手册

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Absolute Maximum Ratings (Note 2)  
If Military/Aerospace specified devices are required,  
please contact the National Semiconductor Sales Office/  
Distributors for availability and specifications.  
θJA (9 Bump micro SMD, Note 12)  
180˚C/W  
56˚C/W  
θJC (MSOP)  
θJA (MSOP)  
190˚C/W  
220˚C/W  
θJA (LLP)  
Supply Voltage (Note 11)  
Storage Temperature  
Input Voltage  
6.0V  
−65˚C to +150˚C  
−0.3V to VDD +0.3V  
Internally Limited  
2000V  
Soldering Information  
See AN-1112 "microSMD Wafers Level Chip Scale  
Package."  
Power Dissipation (Note 3)  
ESD Susceptibility (Note 4)  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
θJC (SOP)  
See AN-1187 "Leadless Leadframe Package (LLP)."  
150˚C  
Operating Ratings  
Temperature Range  
35˚C/W  
150˚C/W  
220˚C/W  
TMIN ≤ TA ≤ TMAX  
−40˚C ≤ TA ≤ 85˚C  
2.2V ≤ VDD ≤ 5.5V  
θJA (SOP)  
Supply Voltage  
θJA (8 Bump micro SMD, Note 12)  
Electrical Characteristics VDD = 5V (Notes 1, 2, 8)  
The following specifications apply for the circuit shown in Figure 1 unless otherwise specified. Limits apply for TA = 25˚C.  
LM4890  
Units  
(Limits)  
Symbol  
IDD  
Parameter  
Conditions  
Typical  
Limit  
(Note 6)  
(Notes 7, 9)  
Quiescent Power Supply Current  
VIN = 0V, Io = 0A, No Load  
VIN = 0V, Io = 0A, 8Ω Load  
VSHUTDOWN = 0V  
4
5
8
mA (max)  
mA (max)  
µA (max)  
V (min)  
V (max)  
mV (max)  
kΩ (max)  
kΩ (min)  
W
10  
ISD  
Shutdown Current  
0.1  
2.0  
1.2  
0.4  
50  
VSDIH  
VSDIL  
VOS  
Shutdown Voltage Input High  
Shutdown Voltage Input Low  
Output Ofsett Voltage  
7
ROUT-GND Resistor Output to GND (Note 10)  
9.7  
7.0  
0.8  
220  
150  
190  
8.5  
Po  
Output Power ( 8Ω )  
Wake-up time  
THD = 2% (max); f = 1 kHz  
1.0  
TWU  
TSD  
170  
ms (max)  
˚C (min)  
˚C (max)  
%
Thermal Shutdown Temperature  
170  
THD+N  
PSRR  
Total Harmonic Distortion+Noise  
Power Supply Rejection Ratio  
(Note 14)  
Po = 0.4 Wrms; f = 1kHz  
Vripple = 200mV sine p-p  
Input Terminated with 10 ohms to  
ground  
0.1  
62 (f =  
55  
dB (min)  
217Hz)  
66 (f = 1kHz)  
1.0  
TSDT  
Shut Down Time  
8 Ω load  
ms (max)  
Electrical Characteristics VDD = 3V (Notes 1, 2, 8)  
The following specifications apply for the circuit shown in Figure 1 unless otherwise specified. Limits apply for TA = 25˚C.  
LM4890  
Units  
(Limits)  
Symbol  
IDD  
Parameter  
Conditions  
Typical  
(Note 6)  
3.5  
Limit  
(Notes 7, 9)  
Quiescent Power Supply Current  
VIN = 0V, Io = 0A, No Load  
VIN = 0V, Io = 0A, 8Ω Load  
VSHUTDOWN = 0V  
7
mA (max)  
mA (max)  
µA (max)  
V(min)  
4.5  
9
ISD  
Shutdown Current  
0.1  
2.0  
1.2  
0.4  
50  
VSDIH  
VSDIL  
VOS  
Shutdown Voltage Input High  
Shutdown Voltage Input Low  
Output Offset Voltage  
V(max)  
7
mV (max)  
kΩ (max)  
kΩ (min)  
ms (max)  
ROUT-GND Resistor Output to Gnd (Note 10)  
9.7  
7.0  
180  
8.5  
120  
TWU Wake-up time  
www.national.com  
4
1234567...31

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