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LM2903ITL

更新时间： 2024-01-18 23:49:28
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 比较器
页数 文件大小 规格书
15页 409K
描述
Low Power Low Offset Voltage Dual Comparators

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LM2903ITL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：HTSSOP, TSOP8,.19Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：20 weeks风险等级：1.58
放大器类型：COMPARATOR最大平均偏置电流 (IIB)：0.4 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)：0.25 µA最大输入失调电压：15000 µV
JESD-30 代码：S-PDSO-G8长度：3 mm
功能数量：2端子数量：8
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
输出类型：OPEN-COLLECTOR封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：HTSSOP封装等效代码：TSOP8,.19
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法：TR峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
标称响应时间：1300 ns筛选级别：AEC-Q100
座面最大高度：1.1 mm子类别：Comparator
最大压摆率：2.5 mA供电电压上限：36 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：BIPOLAR温度等级：AUTOMOTIVE
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
总剂量：AEC-Q100 V宽度：3 mm
Base Number Matches：1

LM2903ITL 数据手册

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Electrical Characteristics (Continued)  
(V+=5V, TA = 25˚C, unless otherwise stated)  
Parameter  
Conditions  
LM193  
LM293, LM393  
LM2903  
Units  
Min Typ Max Min Typ Max Min Typ Max  
∞
Supply Current  
RL=  
V+=5V  
V+=36V  
0.4  
1
1
0.4  
1
1
0.4  
1
1.0  
2.5  
mA  
mA  
2.5  
2.5  
Voltage Gain  
RL≥15 kΩ, V+=15V  
50 200  
50 200  
25 100  
V/mV  
VO = 1V to 11V  
Large Signal Response  
Time  
V
V
V
V
V
V
IN=TTL Logic Swing, VREF=1.4V  
RL=5V, RL=5.1 kΩ  
300  
300  
300  
ns  
Response Time  
RL=5V, RL=5.1 kΩ (Note 7)  
IN(−)=1V, VIN(+)=0, VO≤1.5V  
IN(−)=1V, VIN(+)=0, ISINK≤4 mA  
IN(−)=0, VIN(+)=1V, VO=5V  
1.3  
1.3  
1.5  
µs  
mA  
mV  
nA  
Output Sink Current  
Saturation Voltage  
Output Leakage Current  
6.0 16  
6.0 16  
6.0 16  
250 400  
0.1  
250 400  
0.1  
250 400  
0.1  
Electrical Characteristics  
(V+ = 5V) (Note 4)  
Parameter  
Conditions  
LM193A  
Typ  
Units  
Min  
Max  
4.0  
Input Offset Voltage  
Input Offset Current  
Input Bias Current  
(Note 9)  
mV  
nA  
nA  
I
I
IN(+)−IIN(−), VCM=0V  
IN(+) or IIN(−) with Output in Linear Range,  
CM=0V (Note 5)  
100  
300  
V
Input Common Mode  
Voltage Range  
V+=30V (Note 6)  
0
V+−2.0  
V
Saturation Voltage  
VIN(−)=1V, VIN(+)=0, ISINK≤4 mA  
700  
1.0  
36  
mV  
µA  
V
Output Leakage Current  
Differential Input Voltage  
V
IN(−)=0, VIN(+)=1V, VO=30V  
Keep All VIN’s≥0V (or V−, if Used), (Note 8)  
Electrical Characteristics  
(V+ = 5V) (Note 4)  
Parameter  
Conditions  
LM193  
LM293, LM393  
LM2903  
Units  
Min Typ Max Min Typ Max Min Typ  
Max  
15  
Input Offset Voltage  
Input Offset Current  
Input Bias Current  
(Note 9)  
9
9
9
mV  
nA  
nA  
I
I
IN(+)−IIN(−), VCM=0V  
100  
300  
150  
400  
50  
200  
500  
IN(+) or IIN(−) with Output in  
200  
Linear Range, VCM=0V  
(Note 5)  
Input Common Mode  
Voltage Range  
V+=30V (Note 6)  
0
V+−2.0  
700  
0
V+−2.0  
700  
0
V+−2.0  
700  
V
Saturation Voltage  
VIN(−)=1V, VIN(+)=0,  
400  
mV  
ISINK≤4 mA  
Output Leakage Current  
Differential Input Voltage Keep All VIN’s≥0V (or V−, if  
V
IN(−)=0, VIN(+)=1V, VO=30V  
1.0  
36  
1.0  
36  
1.0  
36  
µA  
V
Used), (Note 8)  
Note 1: For operating at high temperatures, the LM393 and LM2903 must be derated based on a 125˚C maximum junction temperature and a thermal resistance  
of 170˚C/W which applies for the device soldered in a printed circuit board, operating in a still air ambient. The LM193/LM193A/LM293 must be derated based on  
a 150˚C maximum junction temperature. The low bias dissipation and the “ON-OFF” characteristic of the outputs keeps the chip dissipation very small (P ≤100 mW),  
D
provided the output transistors are allowed to saturate.  
+
Note 2: Short circuits from the output to V can cause excessive heating and eventual destruction. When considering short circuits to ground, the maximum output  
+
current is approximately 20 mA independent of the magnitude of V .  
Note 3: This input current will only exist when the voltage at any of the input leads is driven negative. It is due to the collector-base junction of the input PNP  
transistors becoming forward biased and thereby acting as input diode clamps. In addition to this diode action, there is also lateral NPN parasitic transistor action  
www.national.com  
4
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