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LL60P

更新时间： 2024-09-23 12:36:43

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Schottky Barrier Diode

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LL60P 数据手册

RoHS

LL60/LL60P

Schottky Barrier Diode

Features

1. High reliability

2. Low reverse current and low forward voltage

Applications

Low current rectification and high speed switching

Construction

Silicon epitaxial planar

Absolute Maximum Ratings

T_j=25℃

Parameter

Test Conditions

Type

LL60

Symbol

V_RRM

I_FSM

I_F

Value

Unit

Repetitive peak reverse voltage

LL60P

LL60

Peak forward surge current

Forward continuous current

Storage temperature range

t_p1 s

150

℃

LL60P

LL60

500

T_a=25℃

LL60P

I_F

T_stg

-65~+125

Maximum Thermal Resistance

T_j=25℃

Parameter

Test Conditions

Symbol

R_thJA

Value

250

Unit

K/W

Junction ambient

on PC board 50mm×50mm×1.6mm

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

WEJ ELECTRONIC CO.

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LL60P-TP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.005A, 45V V(RRM), Silicon, MINIMELF-2
LL60R13	TAK_CHEONG	获取价格	Rectifier Diode,
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