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LL4151

更新时间： 2024-02-15 03:03:41

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		小信号开关二极管
页数	文件大小	规格书
3页	121K
描述
SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE

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LL4151 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
最大非重复峰值正向电流：	0.5 A	元件数量：	1
最高工作温度：	175 °C	最大输出电流：	0.15 A
最大重复峰值反向电压：	75 V	最大反向恢复时间：	0.004 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

LL4151 数据手册

GALAXY ELECTRICAL

LL4151

REVERSE VOLTAGE : 50 V

CURRENT: 0.15 A

SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE

FEATURES

MINI-MELF

Silicon epitaxial planar diode

High speed switching diode

500 mW power dissipation

Cathode indification

MECHANICAL DATA

Case: MINI-MELF,glass case

0.4 0.1

3.4 ^+0.3

-0.1

Polarity: Color band denotes cathode

Weight: 0.031 grams

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at

ambient temperature unless otherwise specified.

MAXIMUM RATINGS

UNITS

LL4151

Reverse voltage

Peak reverse voltage

Average forw ard rectified current

half w ave rectification w ith resistive load

V_R=0V

V_R

V_RM

I_F(AV)

150¹⁾

Forw ard surge current @ t_P=1m s

2.0

I_FSM

P_tot

T_J

500¹⁾

Pow er dissipation

@ T =

Junction temperature

Storage temperature range

1)Valid provided that leads at a distance of 8 mm f rom case are kept at ambient temperature.

175

-55 --- +175

T_STG

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

MIN

TYP

0.8

MAX

1.0

UNITS

Forw ard voltage @ I_F=50mA

Leakage current

V_F

@ V_R=50V

@ V_R=50V T_J=150

2.0

μA

I_R

Capacitance

@ V =0V,f=1MH ,V_HF=50mV

Reverse breakdown^Rvoltage

tested with 5μA pulses

75.0

V_(BR)R

t_rr

Reverse recovery time

fromI_F=10mA to I_R=10mA to I_R=1mA

fromI_F=10mA to I_R=1mA, V_R=6V. R =100Ω.

Thermal resistance junction to ambient

Rectification efficiency @ 100MHz,V_RF=2V

1)Valid provided that leads at a distance of 8 mm from case are kept at ambient temperature.

K/W

500¹⁾

R_θJA

0.45

ηv

www.galaxycn.com

Document Number 0268023

BLGALAXY ELECTRICAL

12 3

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