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LF442CN/NOPB

更新时间： 2024-09-22 02:58:55
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德州仪器 - TI 放大器光电二极管
页数 文件大小 规格书
20页 925K
描述
Dual Low Power JFET Input Operational Amplifier

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LF442CN/NOPB 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：DIP, DIP8,.3
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.33.00.01
风险等级：8.59放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER
架构：VOLTAGE-FEEDBACK最大平均偏置电流 (IIB)：0.0001 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)：0.0001 µA标称共模抑制比：95 dB
频率补偿：YES最大输入失调电压：7500 µV
JESD-30 代码：R-PDIP-T8JESD-609代码：e3
长度：9.8171 mm低-偏置：YES
低-失调：NO微功率：YES
湿度敏感等级：1负供电电压上限：-18 V
标称负供电电压 (Vsup)：-15 V功能数量：2
端子数量：8最高工作温度：70 °C
最低工作温度：封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP8,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE电源：+-15 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.08 mm
最小摆率：0.6 V/us标称压摆率：1 V/us
子类别：Operational Amplifier最大压摆率：0.5 mA
供电电压上限：18 V标称供电电压 (Vsup)：15 V
表面贴装：NO技术：BIPOLAR
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽：1000 kHz最小电压增益：15000
宽度：7.62 mm

LF442CN/NOPB 数据手册

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LF442  
www.ti.com  
SNOSC03E –APRIL 1999–REVISED OCTOBER 2013  
LF442 Dual Low Power JFET Input Operational Amplifier  
Check for Samples: LF442  
1
FEATURES  
DESCRIPTION  
The LF442 dual low power operational amplifiers  
provide many of the same AC characteristics as the  
industry standard LM1458 while greatly improving the  
DC characteristics of the LM1458. The amplifiers  
have the same bandwidth, slew rate, and gain (10 kΩ  
load) as the LM1458 and only draw one tenth the  
supply current of the LM1458. In addition the well  
matched high voltage JFET input devices of the  
LF442 reduce the input bias and offset currents by a  
factor of 10,000 over the LM1458. A combination of  
careful layout design and internal trimming ensures  
very low input offset voltage and voltage drift. The  
LF442 also has a very low equivalent input noise  
voltage for a low power amplifier.  
2
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1/10 Supply Current of a LM1458: 400 μA (max)  
Low Input Bias Current: 50 pA (max)  
Low Input Offset Voltage: 1 mV (max)  
Low Input Offset Voltage Drift: 10 μV/°C (max)  
High Gain Bandwidth: 1 MHz  
High Slew Rate: 1 V/μs  
Low Noise Voltage for Low Power: 35 nV/√Hz  
Low Input Noise Current: 0.01 pA/√Hz  
High Input Impedance: 1012Ω  
High Gain VO = ±10V, RL = 10k: 50k (min)  
The LF442 is pin compatible with the LM1458  
allowing an immediate 10 times reduction in power  
drain in many applications. The LF442 should be  
used where low power dissipation and good electrical  
characteristics are the major considerations.  
Typical Connection  
Connection Diagrams  
Pin 4 connected to case  
PDIP Package Top View  
Package Number P0008E  
TO Package Top View  
Package Number LMC0008C  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
All trademarks are the property of their respective owners.  
2
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 1999–2013, Texas Instruments Incorporated  
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LF442CN/NOPB 替代型号

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