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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , CAN8,.2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.33.00.01 |
| 风险等级： | 5.76 | 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK | 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.0001 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 0.0001 µA | 最小共模抑制比： | 70 dB |
| 标称共模抑制比： | 95 dB | 频率补偿： | YES |
| 最大输入失调电压： | 5000 µV | JESD-30 代码： | O-MBCY-W8 |
| JESD-609代码： | e0 | 低-偏置： | YES |
| 低-失调： | NO | 微功率： | YES |
| 负供电电压上限： | -18 V | 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V |
| 功能数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装等效代码： | CAN8,.2 |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 电源： | +-15 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最小摆率： | 0.6 V/us | 标称压摆率： | 1 V/us |
| 子类别： | Operational Amplifier | 最大压摆率： | 0.5 mA |
| 供电电压上限： | 18 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | JFET |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 标称均一增益带宽： | 1000 kHz | 最小电压增益： | 25000 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| LM747H/883 | TI |
功能相似  |
Dual Operational Amplifier |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LF442MH/883 | NSC |
获取价格 |
Dual Low Power JFET Input Operational Amplifier |
|
| LF442MWA | TI |
获取价格 |
IC DUAL OP-AMP, 7500 uV OFFSET-MAX, 1 MHz BAND WIDTH, UUC, WAFER, Operational Amplifier |
|
| LF442QML | TI |
获取价格 |
LF442QML Dual Low Power JFET Input Operational Amplifier |
|
| LF4430 | LUXPIA |
获取价格 |
Video Memory / FIFO |
|
| LF4430BC-150 | LOGIC |
获取价格 |
FIFO, 1MX24, Synchronous, CMOS, PBGA172, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-172 |
|
| LF4430BI-150 | LOGIC |
获取价格 |
FIFO, 1MX24, Synchronous, CMOS, PBGA172, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-172 |
|
| LF444 | NSC |
获取价格 |
Quad Low Power JFET Input Operational Amplifier |
|
| LF444 | TI |
获取价格 |
四路、36V、1MHz、输入接近 V+、JFET 输入运算放大器 |
|
| LF444883 | TI |
获取价格 |
LF444QML Quad Low Power JFET Input Operational Amplifier |
|
| LF444ACN | TI |
获取价格 |
LF444 Quad Low Power JFET Input Operational Ampli |
|
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