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LCE8.0B

更新时间: 2024-09-21 20:38:15
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美台 - DIODES 局域网二极管
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1页 106K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon

LCE8.0B 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.62
最大击穿电压:10.9 V最小击穿电压:8.89 V
外壳连接:ISOLATED最大钳位电压:15 V
配置:SINGLE最小二极管电容:100 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
认证状态:Not Qualified最大反向电流:100 µA
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

LCE8.0B 数据手册

  

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