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LCE13B

更新时间: 2024-02-20 15:36:08
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
1页 106K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon

LCE13B 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.58
Is Samacsys:N最大击穿电压:17.6 V
最小击穿电压:14.4 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:23.8 V配置:SINGLE
最小二极管电容:100 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL认证状态:Not Qualified
最大反向电流:5 µA表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

LCE13B 数据手册

  

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