Datasheet > L7C181CME12

L7C181CME12

更新时间： 2024-02-29 12:56:37

品牌	Logo	应用领域
逻辑 - LOGIC		静态存储器输出元件内存集成电路
页数	文件大小	规格书
7页	269K
描述
Cache Tag SRAM, 4KX4, 12ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERDIP-22

阅读下载

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

L7C181CME12 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP22,.3
针数：	22	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	12 ns
其他特性：	AUTOMATIC POWER-DOWN; MATCH OUTPUT; FLASH CLEAR	JESD-30 代码：	R-GDIP-T22
JESD-609代码：	e0	长度：	27.178 mm
内存密度：	16384 bit	内存集成电路类型：	CACHE TAG SRAM
内存宽度：	4	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	22	字数：	4096 words
字数代码：	4000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	4KX4	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP22,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883 Class B (Modified)
座面最大高度：	5.08 mm	最大待机电流：	0.00005 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.12 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
L7C181CME-12	ETC	x4 Cache-Tag RAM	获取价格
L7C181CME15	LOGIC	Cache Tag SRAM, 4KX4, 15ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERDIP-22	获取价格
L7C181CME-15	ETC	x4 Cache-Tag RAM	获取价格
L7C181CME20	LOGIC	Cache Tag SRAM, 4KX4, 20ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERDIP-22	获取价格
L7C181CME-20	ETC	x4 Cache-Tag RAM	获取价格
L7C181CME25	LOGIC	Cache Tag SRAM, 4KX4, 25ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERDIP-22	获取价格