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L25L5V0CB2

更新时间： 2023-12-06 20:10:23

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ESD PROTECTION DEVICE

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L25L5V0CB2 数据手册

RATING AND CHARACTERISTIC CURVES

L25L5V0CB2

FIG.1- 8/20us pulse waveform according to IEC

FIG.2- ESD pulse waveform according to IEC 61000-4-2

61000-4-5

120

100% Ipp : 8 us

110

100%

90%

100

e^-1

50% I pp: 20us

10%

Time,T (ms)

Time (ns)

tr = 0.7 ~1 ns

30 ns

60 ns

FIG.3- power dissipation versus pulse time

FIG.4- peak pulse power versus Tj

10000

1000

100

1.2

0.8

0.6

0.4

0.2

T_J=25°C, tp = 8/20 us

exponentially decay waveform

100

1000

100

125

150

Pulse Times (us)

Junction Temperature, (°C)

FIG.6- reverse leakage current versus Tj

FIG.5- typical junction capacitance

100

T_J= 25°C, f = 1MHz, V_OSC=100mV

0.1

100

125

Reverse Voltage,(V)

Junction Temperature (°C)

2 of 4

www.diodes.com

December 2021

L25L5V0CB2

Document number: DS44371 Rev. 4 - 2

123 4

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