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KTC3199-GR-BP PDF预览

KTC3199-GR-BP

更新时间： 2024-02-10 02:02:24
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 618K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-92S, 3 PIN

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KTC3199-GR-BP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.82其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.15 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
Base Number Matches：1

KTC3199-GR-BP 数据手册

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KTC3199-O  
KTC3199-Y  
KTC3199-GR  
KTC3199-BL  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
•
•
•
•
High DC Current Gain: hFE=70~700  
NPN General  
Purpose Application  
Excellent hFE Linearity: hFE(0.1mA)/hFE(2.0mA)=0.95(Typ)  
Low Noise: NF=1.0dB(Typ.), 10dB(Max.)  
Complementary to KTA1267  
x
·
Marking: C3199  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
·
Moisture Sensitivity Level 1  
•
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
TO-92S  
RoHS Compliant. See ordering information)  
B
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
·Maximum Ratings  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Rating  
50  
50  
5.0  
150  
Unit  
V
V
V
mA  
A
C
IE  
Emitter Current  
150  
PC  
TJ  
TSTG  
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
400  
-55 to +150  
-55 to +150  
mW  
OC  
OC  
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
1. GND  
2. OUT  
3. IN  
ICBO  
Collector-Base Cutoff Current  
---  
---  
---  
---  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
(VCB=50Vdc,I =0)  
E
IEBO  
Emitter-Base Cutoff Current  
(VEB=5.0Vdc, I =0)  
C
ON CHARACTERISTICS  
(1)  
hFE  
VCE(sat)  
fT  
DC Current gain  
70  
---  
80  
---  
---  
700  
0.25  
---  
---  
Vdc  
MHz  
pF  
(I =2.0mAdc, VCE=6.0Vdc)  
C
1
Collector-Emitter Saturation Voltage  
0.1  
---  
1
2
2
3
(I =100mAdc, IB=10mAdc)  
C
3
D
Transistor Frequency  
STRAIGHT LEAD BENT LEAD  
BULK PACK AMMO PACK  
E
(VCE=10Vdc, I =1.0mAdc)  
Collector Output Capacitance  
C
Cob  
2.0  
3.5  
DIMENSIONS  
(VCB=10Vdc, I =0, f=1.0MHz)  
E
NF  
Noise Figure  
INCHES  
MM  
(VCE=6.0Vdc, I =0.1mAdc, f=1.0kHz,  
Rg=10KOHM)  
---  
1.0  
10  
dB  
C
DIM  
A
MIN  
.056  
MAX  
.064  
MIN  
1.42  
3.90  
MAX  
1.62  
NOTE  
B
C
.154  
.120  
.161  
.128  
4.10  
3.25  
(1) hFEClassification O: 70~140, Y: 120~240, GR: 200~400, BL: 300~700  
3.05  
.050  
1.27  
Straight Lead  
Bent Lead  
2.64 Straight Lead  
D
.086  
.096  
.173  
.594  
.110  
.104  
.220  
.610  
2.20  
2.44  
4.40  
2.80  
E
L
Bent Lead  
5.60  
15.50  
15.10  
* For ammo packing detailed specification, click here to visit our website  
of product packaging for details.  
www.mccsemi.com  
1 of 4  
Revision: C  
2013/01/01  
1234

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