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KSQ60A06E

更新时间: 2024-02-08 06:37:14
品牌 Logo 应用领域
NIEC 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
6页 57K
描述
Schottky Barrier Diode

KSQ60A06E 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-3P
包装说明:R-PSFM-X1针数:1
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
其他特性:LOW POWER LOSS应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.71 VJESD-30 代码:R-PSFM-X1
最大非重复峰值正向电流:700 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:60 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:60 V
最大反向电流:40000 µA子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

KSQ60A06E 数据手册

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PEAK REVERSE CURRENT VS. PEAK REVERSE VOLTAGE  
Tj= 150 °C  
KSQ60A06B/KSQ60A06E  
2000  
1000  
500  
200  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
PEAK REVERSE VOLTAGE (V)  
AVERAGE REVERSE POWER DISSIPATION  
KSQ60A06B/KSQ60A06E  
100  
80  
60  
40  
20  
0
D.C.  
RECT 300°  
RECT 240°  
RECT 180°  
HALF SINE WAVE  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
REVERSE VOLTAGE (V)  

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