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KSQ60A04E

更新时间: 2024-01-09 20:36:23
品牌 Logo 应用领域
NIEC 整流二极管肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
6页 57K
描述
Schottky Barrier Diode

KSQ60A04E 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-3P
包装说明:R-PSFM-D1针数:1
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.83
Is Samacsys:N其他特性:LOW POWER LOSS
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.62 V
JESD-30 代码:R-PSFM-D1最大非重复峰值正向电流:700 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:60 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:40 V最大反向电流:40000 µA
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子形式:SOLDER LUG
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

KSQ60A04E 数据手册

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0°  
180°  
q
AVERAGE FORWARD CURRENT VS. CASE TEMPERATURE  
CONDUCTION ANGLE  
VRM=40 V  
KSQ60A04B/KSQ60A04E  
100  
D.C.  
80  
60  
40  
20  
0
RECT 180°  
HALF SINE WAVE  
RECT 120°  
RECT 60°  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
CASE TEMPERATURE (°C)  
SURGE CURRENT RATINGS  
f=50Hz,Half Sine Wave,Non-Repetitive,No Load  
KSQ60A04B/KSQ60A04E  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
I
FSM  
0.02s  
0.02  
0.05  
0.1  
0.2  
0.5  
1
2
TIME (s)  

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