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KSD2012-Y

更新时间: 2024-02-14 08:30:08
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 86K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220F, 3 PIN

KSD2012-Y 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220F包装说明:TO-220F, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.79
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:25 W最大功率耗散 (Abs):25 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):3 MHzVCEsat-Max:1 V
Base Number Matches:1

KSD2012-Y 数据手册

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