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KSD2058O

更新时间： 2024-09-24 21:04:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
4页 45K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220F, 3 PIN

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KSD2058O 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220F包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.76外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：60
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：25 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：0.4 MHzBase Number Matches：1

KSD2058O 数据手册

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KSD2058  
Low Frequency Power Amplifier  
TO-220F  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
60  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
60  
7
3
V
I
I
A
C
Base Current  
0.5  
A
B
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
1.5  
W
W
°C  
°C  
C
a
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
25  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
10  
Units  
µA  
I
V
V
= 60V, I = 0  
CBO  
CB  
EB  
E
I
= 7V, I = 0  
1
mA  
V
EBO  
C
V
I
= 50mA, I = 0  
60  
8
CEO  
FE  
C
B
h
V
= 5V, I = 0.5A  
CE C  
V
V
(Sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter ON Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I
= 2A, I = 0.2A  
1.5  
0.4  
V
V
CE  
C
B
V
V
V
V
= 5V, I = 0.5A  
3
BE  
CE  
CE  
CB  
CC  
C
f
= 5V, I = 0.5A  
MHz  
pF  
µs  
T
C
C
= 10V, f = 1MHz  
35  
0.65  
1.3  
ob  
t
Turn ON Time  
= 30V, I = 2A  
C
ON  
I
= - I = 0.2A  
t
t
Storage Time  
B1  
B2  
µs  
STG  
F
R = 15Ω  
L
Fall Time  
0.65  
µs  
h
Classification  
FE  
Classification  
O
Y
G
h
60 ~ 120  
100 ~ 200  
150 ~ 300  
FE  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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