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KSD2012YYDTU

更新时间： 2024-02-22 05:12:51

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	45K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN

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KSD2012YYDTU 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220F	包装说明：	LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.26
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

KSD2012YYDTU 数据手册

KSD2012

Low Frequency Power Amplifier

•

Complement to KSB1366

TO-220F

1.Base 2.Collector 3.Emitter

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

CBO

CEO

EBO

0.3

Base Current

Collector Power Dissipation (T =25°C)

°C

Junction Temperature

Storage Temperature

150

- 55 ~ 150

STG

Electrical Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

Test Condition

Min.

Typ.

Max.

Units

= 50mA, I = 0

CEO

CBO

= 60V, I = 0

100

µA

= 7V, I = 0

µA

EBO

DC Current Gain

= 5V, I = 0.5A

100

320

FE1

FE2

= 5V, I = 3A

(sat)

(on)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter ON Voltage

= 2A, I = 0.2A

0.4

0.7

= 5V, I = 0.5A

Current Gain Bandwidth Product

= 5V, I = 0.5A

MHz

Classification

100 ~ 200

150 ~ 320

FE1

Rev. A, February 2000

12 3 4

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