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KSC1009GD27Z PDF预览

KSC1009GD27Z

更新时间： 2024-01-28 19:35:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 676K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

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KSC1009GD27Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.75
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.7 A
集电极-发射极最大电压：140 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

KSC1009GD27Z 数据手册

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KSC1009  
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
HIGH VOLTAGE AMPLIFIER  
· High Collector-Base Voltage: VCBO=160V  
· Collector Current: IC=700mA  
TO-92  
· Collector Dissipation: PC=800mW  
· Complement to KSA709  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
VCBO  
160  
140  
8
700  
800  
V
V
V
mA  
mW  
°C  
°C  
VCEO  
VEBO  
IC  
PC  
TJ  
150  
-55 ~ 150  
TSTG  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
V
V
mA  
mA  
IC=100mA, IE=0  
IC=10mA, IB=0  
IE=10mA, IC=0  
VCB=60V, IE=0  
VEB=5V, IC=0  
VCE=2V, IC=50mA  
IC=200mA, IB=20mA  
IC=200mA, IB=20mA  
VCE=10V, IC=50mA  
VCB=10V, IE=0  
f=1MHz  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current (Continuous)  
Emitter Cut-off Current  
BVCBO  
160  
140  
8
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
IEBO  
hFE  
VCE (sat)  
VBE (sat)  
fT  
0.1  
0.1  
400  
0.7  
1.0  
DC Current Gain  
40  
30  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
V
V
MHz  
pF  
0.2  
0.86  
50  
COB  
8
hFE CLASSIFICATION  
Classification  
R
O
Y
G
hFE  
40-80  
70-140  
120-240  
200-400  
Rev. B  
ã
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
123

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