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KMM540512CG-8

更新时间: 2024-02-06 15:35:09
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三星 - SAMSUNG 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 53K
描述
Fast Page DRAM Module, 512KX40, 80ns, CMOS, SIMM-72

KMM540512CG-8 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SIMM
包装说明:SIMM, SSIM72针数:72
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:80 ns
其他特性:RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XSMA-N72内存密度:20971520 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM MODULE内存宽度:40
功能数量:1端口数量:1
端子数量:72字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:512KX40输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:SIMM
封装等效代码:SSIM72封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:512
座面最大高度:25.4 mm最大待机电流:0.02 A
子类别:Other Memory ICs最大压摆率:0.62 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

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