Datasheet > KM48C2104ALLJ-7

KM48C2104ALLJ-7

更新时间： 2024-02-13 21:19:35

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	633K
描述
EDO DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

KM48C2104ALLJ-7 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOJ	包装说明：	SOJ, SOJ28,.44
针数：	28	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.5	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J28
JESD-609代码：	e0	长度：	18.415 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ28,.44
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	2048	座面最大高度：	3.76 mm
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.0002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...21

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
KM48C2104ALLTR-7	SAMSUNG	EDO DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28	获取价格
KM48C2104ALTR-7	SAMSUNG	EDO DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28	获取价格
KM48C2104ASLT-8	SAMSUNG	EDO DRAM, 2MX8, 80ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28	获取价格
KM48C2104ASLTR-6	SAMSUNG	EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28	获取价格
KM48C2104CK-5	SAMSUNG	EDO DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28	获取价格
KM48C2104CK-6	SAMSUNG	EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28	获取价格