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KM44S4020CT-F8

更新时间： 2024-01-29 14:54:47

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	409K
描述
Synchronous DRAM, 4MX4, 6ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.725 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-44

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KM44S4020CT-F8 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP44,.46,32
针数：	44	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	125 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	长度：	18.41 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	44
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

KM44S4020CT-F8 数据手册

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM44S4020CT-FH	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX4, 6ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.725 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSO
KM44S4020CT-FL	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX4, 6ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.725 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSO
KM44S4020CT-G10	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX4, 7ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.725 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSO
KM44S4020CT-G8	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX4, 6ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.725 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSO
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KM44S64230AT-FA	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 64MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54