KGF1633

更新时间： 2024-01-22 18:48:30

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冲电气 - OKI		晶体射频场效应晶体管
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描述
Power FET (Plastic Package Type)

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KGF1633 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-89
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	8 V
最大漏极电流 (ID)：	2 A	FET 技术：	JUNCTION
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

KGF1633 数据手册

E2Q0034-38-72

This version: Jul. 1998

Previous version: Jan. 1998

¡ electronic components

KGF1633

¡ electronic components

KGF1633

Power FET (Plastic Package Type)

GENERAL DESCRIPTION

The KGF1633, housed in a SOT-89 type plastic-mold package, is a discrete GaAs power FET that

features high efficiency and high output power. The KGF1633 specifications are guaranteed to

a fixed matching circuit for 3.4 V and 850 MHz; external impedance-matching circuits are also

required. Because of its high efficiency, high output power (more than 27 dBm), and plastic

package, the KGF1633 is ideal as a transmitter-drive amplifier for Personal Handy Phones

(PHPs), and other 3-V digital cellular phones. This device is also suited to higher frequency

applications.

FEATURES

• High output power: 27 dBm (min.)

• High gain: 19 dB (typ.)

• High efficiency: 70% (typ.)

• Specifications guaranteed to a fixed matching circuit for 3.4 V and 850 MHz

• Package: 3PMMP (SOT-89 type)

PACKAGE DIMENSIONS

4.5 0.1

+0.15

–0.10

1.5 0.1

1.6

Package material

Lead frame material

Pin treatment

Epoxy resin

+0.08

–0.05

0.48

0.39 0.05

(Unit: mm)

+0.08

–0.05

+0.08

0.4

–0.05

0.4

Solder plating

1.5 0.1 1.5 0.1

3 0.1

Solder plate thickness

5 mm or more

1/6

12 3 4 5 6

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