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KF13N50P

更新时间： 2024-09-28 05:40:51
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KEC 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 78K
描述
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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KF13N50P 技术参数

生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.72
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：860 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (ID)：13 A最大漏源导通电阻：0.44 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

KF13N50P 数据手册

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KF13N50P/F  
SEMICONDUCTOR  
N CHANNEL MOS FIELD  
EFFECT TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
General Description  
KF13N50P  
A
O
C
This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast  
switching time, low on resistance, low gate charge and excellent  
avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and  
switching mode power supplies.  
F
E
I
DIM MILLIMETERS  
G
Q
_
9.9 0.2  
+
A
B
C
D
E
F
B
15.95 MAX  
1.3+0.1/-0.05  
_
0.8+ 0.1  
FEATURES  
_
3.6 0.2  
+
_
2.8+ 0.1  
· VDSS= 500V, ID= 13A  
· Drain-Source ON Resistance :  
RDS(ON)=0.44Ω (Max) @VGS = 10V  
· Qg(typ.) = 35nC  
K
P
3.7  
G
H
I
M
N
0.5+0.1/-0.05  
1.5  
L
J
_
13.08+ 0.3  
J
K
L
M
N
O
P
D
1.46  
_
1.4 + 0.1  
H
N
_
1.27+ 0.1  
_
2.54+ 0.2  
℃
MAXIMUM RATING (Tc=25  
)
_
+
4.5 0.2  
_
+
2.4 0.2  
RATING  
_
9.2 + 0.2  
Q
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
UNIT  
1
2
3
1. GATE  
KF13N50P  
KF13N50F  
2. DRAIN  
3. SOURCE  
VDSS  
VGSS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
@TC=25℃  
500  
V
V
±30  
TO-220AB  
13  
8
13*  
8*  
ID  
Drain Current  
@TC=100℃  
A
KF13N50F  
IDP  
Pulsed (Note1)  
40  
40*  
C
Single Pulsed Avalanche Energy  
(Note 2)  
A
EAS  
860  
19.5  
4.5  
mJ  
mJ  
Repetitive Avalanche Energy  
(Note 1)  
EAR  
DIM MILLIMETERS  
_
E
Peak Diode Recovery dv/dt  
(Note 3)  
A
B
C
D
E
10.16 0.2  
+
dv/dt  
V/ns  
_
15.87 0.2  
+
_
2.54 0.2  
+
208  
49.8  
0.4  
W
W/℃  
℃
Tc=25℃  
_
0.8 0.1  
+
Drain Power  
Dissipation  
PD  
_
+
3.18  
0.1  
1.66  
Derate above 25℃  
_
3.3 0.1  
+
F
_
12.57 0.2  
+
G
H
J
Tj  
L
Maximum Junction Temperature  
150  
M
_
0.5 0.1  
+
R
_
13.0 0.5  
+
Tstg  
Storage Temperature Range  
Thermal Characteristics  
-55∼ 150  
℃
_
K
L
3.23 0.1  
+
D
1.47 MAX  
1.47 MAX  
M
N
O
Q
R
N
N
H
_
2.54 0.2  
+
RthJC  
RthJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
0.6  
62.5  
2.51  
62.5  
℃/W  
℃/W  
_
6.68 0.2  
+
_
Thermal Resistance, Junction-to-  
Ambient  
4.7  
+
_
0.2  
2.76 0.2  
+
1
2
3
1. GATE  
2. DRAIN  
3. SOURCE  
* : Drain current limited by maximum junction temperature.  
TO-220IS (1)  
EQUIVALENT CIRCUIT  
D
G
S
2008. 10. 2  
Revision No : 1  
1/7  
1234567

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