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KBU606 PDF预览

KBU606

更新时间： 2024-02-18 03:15:56
品牌 Logo 应用领域
虹扬 - HY 整流二极管桥式整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 50K
描述
SILICON BRIDGE RECTIFIERS

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KBU606 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSFM-T4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.69
其他特性：HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED最小击穿电压：600 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流：250 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：6 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：600 V
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

KBU606 数据手册

 浏览型号KBU606的Datasheet PDF文件第2页 
KBU 4A/6A/8A SERIES  
REVERSE VOLTAGE - 50 to 1000Volts  
FORWARD CURRENT - 4 / 6 / 8 Amperes  
SILICON BRIDGE RECTIFIERS  
KBU  
FEATURES  
●Surge overload rating -150~200 amperes peak  
.15 X23L  
Ø
(3.8 X5.7L)  
Ø
HOLE THRU  
.935(23.7)  
.895(22.7)  
●Ideal for printed circuit board  
●Reliable low cost construction utilizing  
molded plastic technique  
300  
(7.5)  
.700(17.8)  
.600(16.8)  
.780(19.8)  
.740(18.8)  
●Plastic material has UL  
●Mounting postition:Any  
●Mounting torgue:5 In.Ib.Max  
1.00  
MIN.  
(25.4)  
.052(1.3)DIA.  
.048(1.2)TYP.  
.087(2.2)  
.220(5.6)  
.071(1.8)  
.180(4.6)  
.276(7.0)  
.256(6.5)  
Dimensions in inches and (milimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
KBU4005 KBU401  
KBU6005 KBU601  
KBU8005 KBU801  
KBU402  
KBU602  
KBU802  
200  
KBU404  
KBU604  
KBU804  
40  
KBU406  
KBU606  
KBU806  
600  
KBU408  
KBU608  
KBU808  
800  
KBU410  
KBU610  
KBU810  
1000  
UNIT  
CHARACTERISTICS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
50  
35  
50  
100  
70  
V
V
V
140  
280  
420  
560  
700  
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
200  
40  
600  
800  
1000  
Maximum Average Forward  
Rectified Output Current at  
TC=100℃  
A
A
4.0  
150  
1.0  
6.0  
175  
1.0  
8.0  
200  
1.1  
Peak Forward Surage Current 8.3ms single  
Half Sine-Wave Super Imposed on Rated Load  
(JEDEC Method)  
A
KBU4  
KBU6  
KBU8  
Maximum Instantanous Forward Voltage Drop  
per Element at 4.0A/3.0A/4.0A  
mV  
10  
Maximum Reverse Leakage at rated TA=25℃  
10  
10  
μA  
200  
DC Blocking Voltage Per Element  
TA=100℃  
100  
300  
mA  
-55 to +125  
℃
Operating and Storage Temperature Range TJ.TSTG  
~ 253 ~  
12

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