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KBU605

更新时间： 2024-01-16 08:54:09

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描述
6 Amp Single Phase Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts

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KBU605 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PSFM-W4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.72
最小击穿电压：	600 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSFM-W4
最大非重复峰值正向电流：	175 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最大输出电流：	6 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	600 V
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

KBU605 数据手册

KBU601

THRU

KI SEMICONDUCTOR

KBU607

Features

6 Amp Single Phase

Bridge Rectifier

50 to 1000 Volts

Low Leakage

Low Forward Voltage

Any Mounting Position

Silver Plated Copper Leads

Surge Overload Rating Of 200 Amps

KBU

Maximum Ratings

Operating Temperature: -55°C to +125°C

Storage Temperature: -55°C to +150°C

Device

Marking

Maximum

Recurrent

Peak Reverse

Voltage

50V

Maximum Maximum

Catalog

Number

RMS

Voltage

Blocking

Voltage

50V

KBU601

KBU602

KBU603

KBU604

KBU605

KBU606

KBU607

KBU6A

KBU6B

KBU6D

KBU6G

KBU6J

KBU6K

KBU6M

35V

70V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

100V

140V

280V

420V

560V

700V

200V

400V

600V

800V

1000V

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Average Forward

Current

I_F(AV)

6.0A

T_A= 65°C

Peak Forward Surge

Current

I_FSM

200A

8.3ms, half sine

Maximum Forward

Voltage Drop Per

Element

V_F

1.1V

I_FM= 3.0A;

T_J= 25°C

DIMENSIONS

INCHES

MIN

.895

---

MIN

22.70

---

16.80

3.8Æ

25.40

1.20

6.60

4.60

4.70

DIM

MAX

.935

.760

.700

.23L

---

MAX

NOTE

23.70

19.30

17.80

5.57L

---

1.30

7.10

5.60

5.20

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

.660

I_R

10mA

1 mA

T_A= 25°C

T_A= 100°C

HOLE

TYP

.15Æ

1.00

.048

.260

.180

.185

.052

.280

.220

.205

*Pulse test: Pulse width 300 msec, Duty cycle 1%

KI SEMICONDUCTOR

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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