Datasheet > KBU1002

KBU1002

更新时间： 2024-02-04 17:13:52

品牌	Logo	应用领域
DIOTECH		二极管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	727K
描述
SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

KBU1002 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	其他特性：	UL RECOGNIZED
最小击穿电压：	200 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSFM-W4	最大非重复峰值正向电流：	240 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大重复峰值反向电压：	200 V	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

KBU1002 数据手册

KBU8005 THRU KBU810

RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES

FIG.1- MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD

FIG.2- MAXIMUM FORWARD CURRENT DERATING

CURVE

SURGE CURRENT PER BRIDGE ELEMENT

300

250

200

TJ=25⁰C

8.3ms Single Half Sine Wave

JEDEC Method

150

100

MOUNTED ON 4X4 INCH

COPPER PC BOARD

0.5" (12.7mm) LEAD LENGTH

100

150

100

NUMBER OF CYCLES AT 60Hz

AMBIENT TEMPERATURE. (^oC)

FIG.3- TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD

FIG.4- TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS

CHARACTERISTICS PER BRIDGE ELEMENT

PER BRIDGE ELEMENT

100

Tj=100⁰C

0.4

0.2

0.1

Tj=25⁰C

PULSE WIDTH-300 S

1% DUTY CYCLE

Tj=25⁰C

0.1

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

1.3

100

120

140

INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE. (V)

PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE. (%)

下载PDF

与KBU1002相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
KBU1002G	GOOD-ARK	SINGLE PHASE 10 AMPS. GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS	获取价格
KBU1002G	SURGE	Bridge Rectifier Diode, CASE 22, 4 PIN	获取价格
KBU1002G	HY	GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS	获取价格
KBU1002G	TSC	Single Phase 10 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers	获取价格
KBU1002G	WTE	10A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER	获取价格
KBU1002G	WON-TOP	Single In-Line	获取价格