KBU1002

更新时间： 2024-01-01 00:47:13

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SILICON BRIDGE RECTIFIERS

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KBU1002 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	其他特性：	UL RECOGNIZED
最小击穿电压：	200 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSFM-W4	最大非重复峰值正向电流：	240 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大重复峰值反向电压：	200 V	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

KBU1002 数据手册

RATING AND CHARACTERISTIC CURVES

KBU 10/15/25/35A SERIES

FIG. 1 – MAXIMUM FORWARD SURGE CURRENT

400

FIG. 2 – DERATING CURVE OUTPUT RECTIFIED CURRENT

350

KBU35

KBU25/35

300

240

KBU25

KBU15

KBU10

100

150

100

NUMBER OF CYCLES AT 60Hz

CASE TEMPERATURE (℃)

FIG.3– TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS

KBU 25

KBU 15

FIG.4– TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS

100

KBU 10

KBU 35

1.0

TJ = 25°C

0.1

0.01

140

PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE

120

0.2

0.4

0.8

1.0

1.2

1.4

100

0.6

INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, VOLTS

~ 256 ~

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