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KBPC5010W

更新时间： 2024-02-16 20:38:12

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DAESAN		二极管局域网
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2页	231K
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CURRENT 50.0 Amperes VOLTAGE 50 to 1000 Volts

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KBPC5010W 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	S-PUFM-W4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.59	外壳连接：	ISOLATED
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	S-PUFM-W4
最大非重复峰值正向电流：	450 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-50 °C
最大输出电流：	50 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	1000 V
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

KBPC5010W 数据手册

RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES KBPC50005/W THRU KBPC5010/W

100

Mounted on a

220 x 220 x 50mm

AL plate heatsink

1.0

0.1

T_j= 25 C

R esistive or

Inductive load

P ulse Width = 300

0.01

1.6

1.8

1.4

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2

100

125

150

V_F, INS TANTANE OUS FOR WAR D VOLTAG E (V)

Fig. 2 Typical Forward C haracteristics (per element)

T_C, C AS E TE MP E R ATUR E ( C )

Fig. 1 Forward. C urrent Derating C urve.

400

300

S ingle HalfS- ine Wave

(J E DE C Method)

T_j= 100

1.0

200

T_j= 25°C

0.1

100

T_j= 150

0.01

NUMBE R OF C YC LE S AT 60 Hz

100

120

140

P E R C E NT OF R ATE D P E AK R E VE R S E VOLTAG E (%)

Fig. 4 Typical R everse C haracteristics (per element)

Fig. 3 Maximum Non-R epetitive S urge C urrent

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