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KBP302P

更新时间: 2024-02-04 08:06:05
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 整流二极管桥式整流二极管
页数 文件大小 规格书
3页 431K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, KBP, 4 PIN

KBP302P 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-PSIP-W4针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.72
其他特性:UL RECOGNIZED配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PSIP-W4JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:80 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最大输出电流:3 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V表面贴装:NO
端子面层:MATTE TIN端子形式:WIRE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

KBP302P 数据手册

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M C C  
KBP3005 THRU KBP310  
TM  
Micro Commercial Components  
Figure 1  
Forward Derating Curve  
3
2
Amps  
1
0
25  
50  
75  
°C  
100  
125  
150  
0
Average Forward Rectified Current - Amperes versus  
Ambient Temperature - °C  
www.mccsemi.com  
2 of 3  
Revision: 4  
2006/05/01  

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