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KBP101G

更新时间： 2024-01-14 09:16:01

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描述
Single Phase 1.0 AMP. Glass Passivated Bridge Rectifiers

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KBP101G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PSIP-W4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED	最小击穿电压：	50 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.1 V
JESD-30 代码：	R-PSIP-W4	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	30 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	50 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

KBP101G 数据手册

RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES (KBP101G THRU KBP107G)

FIG.1- MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD

SURGE CURRENT PER BRIDGE ELEMENT

FIG.2- MAXIMUM FORWARD CURRENT DERATING

CURVE

2.0

1.5

1.0

100

AMBIENT TEMPERATURE. (^oC)

160

140

120

100

NUMBER OF CYCLES AT 60Hz

FIG.3- TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD

CHARACTERISTICS PER BRIDGE ELEMENT

10.0

FIG.4- TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS

100

Tj=125C

1.0

0.1

Tj=25⁰C

PULSE WIDTH-300

1% DUTY CYCLE

Tj=25 ⁰

0.01

0.1

1.0

1.1

1.2

1.3

1.4

100

120

140

INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE. (V)

PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE. (%)

- 627 -

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