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KBJ6M

更新时间： 2024-02-05 08:30:19

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2页	231K
描述
CURRENT 6.0 Amperes VOLTAGE 50 to 1000 Volts

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KBJ6M 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PSFM-T4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.6
其他特性：	HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED	最小击穿电压：	1000 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSFM-T4
湿度敏感等级：	2	最大非重复峰值正向电流：	170 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	6 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大重复峰值反向电压：	1000 V	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

KBJ6M 数据手册

RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES KBJ6A THRU KBJ6M

With heatsink

1.0

Without heatsink

0.1

T_j= 25°C

R esistive or

Inductive load

P ulse width = 300µs

0.01

100

125

150

0.4

0.8

1.2

1.6 1.8

V_F, INS TANTANE OUS FOR WAR D VOLTAG E (V)

Fig. 2 Typical Forward C haracteristics (per element)

T_C, C AS E TE MP E R ATUR E (°C )

Fig. 1 Forward C urrent Derating C urve

180

160

100

T_j= 25°C

f = 1MHz

S ingle hal-fsinew- ave

(J E DE C method)

T_j= 150°C

120

100

V_R, R E VE R S E VOLTAG E (V)

Fig. 4 Typical J unction C apacitance

NUMBE R OF C YC LE S AT 60 Hz

Fig. 3 Maximum Non-R epetitive S urge C urrent

1000

100

T_j= 125°C

T_j= 100°C

1.0

0.1

T_j= 50°C

T_j= 25°C

100

120

140

P E R C E NT OF R ATE D P E AK R E VE R S E VOLTAG E ()%

Fig. 5 Typical R everse C haracteristics

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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