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Datasheet > 电源电路 > 开关式稳压器或控制器> KA2S0880B-YDTU
KA2S0880B-YDTU PDF预览

KA2S0880B-YDTU

更新时间： 2024-02-01 06:40:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 稳压器开关式稳压器或控制器电源电路开关式控制器局域网
页数 文件大小 规格书
12页 87K
描述
Fairchild Power Switch(SPS)

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KA2S0880B-YDTU 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-3P包装说明：ZIP, ZIP5,.2,.1,150/100TB
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.92Is Samacsys：N
模拟集成电路 - 其他类型：SWITCHING REGULATOR控制模式：CURRENT-MODE
控制技术：PULSE WIDTH MODULATION最大输入电压：30 V
最小输入电压：11 V标称输入电压：14 V
JESD-30 代码：R-PZFM-T5JESD-609代码：e0
功能数量：1端子数量：5
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
最大输出电流：32 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：ZIP封装等效代码：ZIP5,.2,.1,150/100TB
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
子类别：Switching Regulator or Controllers表面贴装：NO
切换器配置：SINGLE最大切换频率：150 kHz
温度等级：OTHER端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：ZIG-ZAG处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

KA2S0880B-YDTU 数据手册

 浏览型号KA2S0880B-YDTU的Datasheet PDF文件第1页浏览型号KA2S0880B-YDTU的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KA2S0880B-YDTU的Datasheet PDF文件第4页浏览型号KA2S0880B-YDTU的Datasheet PDF文件第5页浏览型号KA2S0880B-YDTU的Datasheet PDF文件第6页浏览型号KA2S0880B-YDTU的Datasheet PDF文件第7页 
KA2S0880B  
Electrical Characteristics (SFET part)  
(Ta=25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
BV  
Condition  
Min.  
Typ. Max. Unit  
Drain-source breakdown voltage  
V
=0V, I =50µA  
800  
-
-
V
DSS  
GS  
D
V
V
=Max., Rating,  
=0V  
DS  
GS  
-
-
-
50  
µA  
Zero gate voltage drain current  
I
DSS  
V
V
=0.8Max., Rating,  
DS  
-
200  
µA  
=0V, T =125°C  
GS  
C
Static drain-source on resistance (note)  
Forward transconductance (note)  
Input capacitance  
R
V
V
=10V, I =5.0A  
D
-
1.2  
2.5  
2460  
210  
64  
1.5  
-
Ω
DS(ON)  
GS  
DS  
gfs  
=15V, I =5.0A  
D
1.5  
S
Ciss  
-
-
-
-
-
-
-
-
V
=0V, V =25V,  
GS DS  
Output capacitance  
Reverse transfer capacitance  
Turn on delay time  
Coss  
Crss  
-
pF  
nS  
f=1MHz  
-
td(on)  
tr  
V
=0.5BV  
DD  
, I =8.0A  
D
-
90  
200  
450  
150  
DSS  
(MOSFET switching  
time are essentially  
independent of  
Rise time  
95  
Turn off delay time  
td(off)  
tf  
150  
60  
Fall time  
operating temperature)  
Total gate charge  
(gate-source+gate-drain)  
V
V
=10V, I =8.0A,  
D
=0.5BV (MOSFET  
DSS  
GS  
DS  
Qg  
-
-
150  
switching time are  
essentially independent of  
operating temperature)  
nC  
Gate-source charge  
Qgs  
Qgd  
-
-
20  
70  
-
-
Gate-drain (Miller) charge  
Note:  
Pulse test: Pulse width ≤ 300µS, duty cycle ≤ 2%  
1
S = ---  
R
3
1234567...12

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