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K9F5608U0C-FCB00

更新时间： 2024-01-12 07:54:25

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		ISM频段光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
42页	1068K
描述
Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.70 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, WSOP1-48

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K9F5608U0C-FCB00 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	VSSOP, TSSOP48,.71,20
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.73	最长访问时间：	30 ns
其他特性：	CONTAINS ADDITIONAL 8M BIT SPARE MEMORY	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e6	长度：	15.4 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	部门数/规模：	2K
端子数量：	48	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VSSOP	封装等效代码：	TSSOP48,.71,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小：	512 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	0.7 mm
部门规模：	16K	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
类型：	NAND TYPE	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

K9F5608U0C-FCB00 数据手册

K9F5608Q0C

K9F5608D0C

K9F5608U0C

K9F5616Q0C

K9F5616D0C

K9F5616U0C

FLASH MEMORY

Document Title

32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory

Revision History

Revision No. History

Draft Date

Remark

0.0

Initial issue.

Apr. 25th 2002

Advance

1.0

1.Pin assignment of TBGA dummy ball is changed.

(before) DNU --> (after) N.C

Dec.14th 2002

Preliminary

2. Add the Rp vs tr ,tf & Rp vs ibusy graph for 1.8V device (Page 36)

3. Add the data protection Vcc guidence for 1.8V device - below about

1.1V. (Page 37)

4. Add the specification of Block Lock scheme.(Page 32~35)

5. Pin assignment of TBGA A3 ball is changed.

(before) N.C --> (after) Vss

6. Pin assignment of WSOP #38 pin is changed.

(before) LOCKPRE --> (after) N.C

2.0

1. The Maximum operating current is changed.

Program : Icc2 20mA-->25mA

Erase : Icc3 20mA-->25mA

Jan. 17th 2003

Preliminary

2.1

2.2

The min. Vcc value 1.8V devices is changed.

K9F56XXQ0C : Vcc 1.65V~1.95V --> 1.70V~1.95V

Mar. 5th 2003

Pb-free Package is added.

K9F5608U0C-FCB0,FIB0

K9F5608Q0C-HCB0,HIB0

K9F5616U0C-HCB0,HIB0

K9F5616U0C-PCB0,PIB0

K9F5616Q0C-HCB0,HIB0

K9F5608U0C-HCB0,HIB0

K9F5608U0C-PCB0,PIB0

Mar. 13rd 2003

2.3

Errata is added.(Front Page)-K9F56XXQ0C

tWC tWH tWP tRC tREH tRP tREA tCEA

Mar. 26th 2003

Specification

45 15 25 50 15 25 30

Relaxed value 60 20 40 60 20 40 40

New definition of the number of invalid blocks is added.

2.4

2.5

Apr. 4th 2003

(Minimum 1004 valid blocks are guaranteed for each contiguous 128Mb

memory space.)

Jun. 30th 2003

1. The guidence of LOCKPRE pin usage is changed.

Don’t leave it N.C. Not using LOCK MECHANISM & POWER-ON AUTO-

READ, connect it Vss.(Before)

--> Not using LOCK MECHANISM & POWER-ON AUTO-READ, connect

it Vss or leave it N.C(After)

2. 2.65V device is added.

3.Note is added.

(VIL can undershoot to -0.4V and VIH can overshoot to VCC +0.4V for

durations of 20 ns or less.)

Note : For more detailed features and specifications including FAQ, please refer to Samsung’s Flash web site.

http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm

The attached datasheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right

to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions about device. If you have

any questions, please contact the SAMSUNG branch office near you.

12 3 4 5 6 7...42

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
K9F5608U0C-FCB0T	SAMSUNG	暂无描述	获取价格
K9F5608U0C-FIB0	SAMSUNG	512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata	获取价格
K9F5608U0C-FIB00	SAMSUNG	Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.70 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, WSOP1-48	获取价格
K9F5608U0C-FIB0T	SAMSUNG	Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48,	获取价格
K9F5608U0C-GCB00	SAMSUNG	Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-63	获取价格
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