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K8S1215EBC-SE1C0

更新时间： 2024-02-13 13:33:25

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
83页	1511K
描述
Flash, 32MX16, 100ns, PBGA64, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64

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K8S1215EBC-SE1C0 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	VFBGA, BGA64,10X14,20	针数：	64
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.32
最长访问时间：	100 ns	其他特性：	BOTTOM BOOT BLOCK, SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块：	BOTTOM	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PBGA-B64	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	4,511
端子数量：	64	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	32MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA64,10X14,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8 V	编程电压：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1 mm	部门规模：	16K,64K
最大待机电流：	0.00003 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.07 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	Base Number Matches：	1

K8S1215EBC-SE1C0 数据手册

Rev. 1.1, Sep. 2010

K8S1215ETC

K8S1215EBC

K8S1215EZC

512Mb C-die NOR FLASH

9x11, 64FBGA, 32M x16, Muxed Burst, Multi Bank SLC

1.7V ~ 1.95V

datasheet

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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