是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | VFBGA, BGA64,10X14,20 | 针数: | 64 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.1.A |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 100 ns | 其他特性: | SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE |
命令用户界面: | YES | 通用闪存接口: | YES |
数据轮询: | YES | JESD-30 代码: | R-PBGA-B64 |
内存密度: | 536870912 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 512 | 端子数量: | 64 |
字数: | 33554432 words | 字数代码: | 32000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -25 °C | 组织: | 32MX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | VFBGA |
封装等效代码: | BGA64,10X14,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 1.8 V |
编程电压: | 1.8 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1 mm | 部门规模: | 64K |
最大待机电流: | 0.00003 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.07 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
K8S1115EZC-FC1D0 | SAMSUNG | Flash, 32MX16, 100ns, PBGA64, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, FBGA-64 |
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K8S1115EZC-FC1ET | SAMSUNG | EEPROM Card, 32MX16, 95ns, Parallel, CMOS, PBGA64, |
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K8S1115EZC-FC1FT | SAMSUNG | EEPROM Card, 32MX16, 95ns, Parallel, CMOS, PBGA64, |
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K8S1115EZC-FE1F0 | SAMSUNG | Flash, 32MX16, 100ns, PBGA64, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, FBGA-64 |
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K8S1115EZC-SC1E0 | SAMSUNG | Flash, 32MX16, 100ns, PBGA64, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64 |
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K8S1115EZC-SC1F0 | SAMSUNG | Flash, 32MX16, 100ns, PBGA64, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64 |
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