是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | LFBGA, BGA167,12X15,32 |
针数: | 167 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.1.A | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.84 | 最长访问时间: | 100 ns |
其他特性: | SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE | 启动块: | BOTTOM |
命令用户界面: | YES | 通用闪存接口: | YES |
数据轮询: | YES | JESD-30 代码: | R-PBGA-B167 |
JESD-609代码: | e1 | 长度: | 14 mm |
内存密度: | 268435456 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 2 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 4,255 |
端子数量: | 167 | 字数: | 16777216 words |
字数代码: | 16000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -25 °C |
组织: | 16MX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LFBGA | 封装等效代码: | BGA167,12X15,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 1.8 V | 编程电压: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 就绪/忙碌: | YES |
座面最大高度: | 1.4 mm | 部门规模: | 16K,64K |
最大待机电流: | 0.00002 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.055 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER | 端子面层: | TIN SILVER COPPER |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
切换位: | YES | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 10.5 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
K8C5715EBM-DE1F | SAMSUNG | Flash, 16MX16, 100ns, PBGA167, |
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K8C5715EBM-DE1F0 | SAMSUNG | Flash, 16MX16, 100ns, PBGA167, 10.50 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FB |
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K8C5715EBM-FC1C | SAMSUNG | Flash, 16MX16, 100ns, PBGA167, |
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K8C5715EBM-FC1D | SAMSUNG | Flash, 16MX16, 100ns, PBGA167, |
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K8C5715EBM-FC1E | SAMSUNG | Flash, 16MX16, 100ns, PBGA167, |
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K8C5715EBM-FE1C0 | SAMSUNG | Flash, 16MX16, 100ns, PBGA167, 10.50 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-167 |
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